Монокристалл - вольфрам
Cтраница 2
Грюнейзен и Аденштедт [103] наблюдали термомагнитный эффект при иодородных температурах на монокристаллах вольфрама и бериллия, а также у меди, серебра и платины. [16]
Грюнейзен и Аденштодт [103] наблюдали термомагннтиый эффект при иодородных температурах на монокристаллах вольфрама и бериллия, а также у меди, серебра и платины. [17]
 |
Устройство термоэлектрического термометра. [18] |
В настоящее время ведутся большие работы по созданию высокотемпературных термоэлектрических термометров из монокристаллов вольфрама, рения, молибдена и других материалов, имеющих стабильные градуировочные характеристики. [19]
Алдаг и Стерн [397] исследовали дифракцию медленных электронов от плоскости ( НО) монокристалла вольфрама. [21]
 |
Зависимость эмиссионного тока от азимутального угла для монокристалла вольфрама в виде проволоки при 1880 К и приложенном к поверхности поле 6 - 104 в / см. [22] |
На рис. 37 приведены измеренные Николь-сом [152] величины эмиссионного тока для различных кристаллографических направлений монокристалла вольфрама, полученного в виде проволоки. В табл. 2 указаны величины Ф, полученные Ни-кольсом [152] и Диковой с сотрудниками [153], для пяти различных поверхностных ориентации. В настоящее время стало очевидным, что для плоскости ( 110) значение, полученное Никольсом, занижено. Большое практическое значение имеет тот факт, что значение работы выхода электрона можно очень сильно изменить нанесением на поверхность эмиттера хорошо подобранного металлического осадка. Представляется, что в большинстве случаев такой осадок полностью контролирует эмиссионные характеристики. [23]
Проведено рентгенографическое исследование влияния непрерывного удаления поверхностных слоев во время деформации на характер субструктуры монокристаллов вольфрама. Изучено влияние искаженного поверхностного слоя, образующегося при деформации, на перегруппировку дислокаций, происходящую при высокотемпературном отжиге. Показана зависимость процесса полигонизации от структурного состояния поверхностных слоев изогнутых вольфрамовых пластин. [24]
Пластичность его настолько мала, что даже в тонкой нити может происходить полностью хрупкое разрушение монокристаллов вольфрама. Поэтому образцы с бамбуковой структурой очень легко разрушаются. В столбчатой структуре - поперечный размер зерен меньше, и границы тормозят развитие трещины, так как плоскости ( 100) по-разному ориентированы в соседних зернах. [26]
Коэффициент отражения при Я58 4 нм имеет следующие значения для различных кристаллографических плоскостей ( Ш) монокристалла вольфрама. [27]
Одно из этих значений должно быть неверным, и, вероятно, одним из лучших способов выбора правильного значения было бы проведение независимой проверки с помощью метода КРП для монокристалла вольфрама. [28]
В последующей работе Азизова и Шуппе [48], коллег Султанова, в том же самом эксперименте использовалась совсем другая конфигурация образца. Из монокристалла вольфрама вырезались цилиндры диаметром 10 мм, одним из торцов которого являлась гладкая поверхность, параллельная выбранной для исследования кристаллической плоскости. [29]
 |
Диаграммы деформирова - 150 ( Н. [30] |
Страницы: 1 2 3 4