Монокристалл - вольфрам
Cтраница 3
Впервые после установления в 1923 г. эффекта Иоффе ( повышение пластичности каменной соли в воде) было экспериментально доказано его существование на металлах. На монокристаллах вольфрама в полирующей среде ( 2 % - ного водного раствора едкого натрия) было показано, что пластичность монокристаллов [100] повышается в 8 раз. [31]
На рис. 4.86 изображены кривые напряжений при растяжении монокристалла молибдена при различной ориентировке оси растяжения. Особенно сильно выражена анизотропия механических свойств у монокристалла вольфрама. [32]
В пределах достигнутой точности эксперимента анизотропия удельного электросопротивления монокристаллов вольфрама не обнаружена. [33]
Главное возражение против подобного использования метода термоэлектронной эмиссии касается задерживающего электрода С, задача которого состоит в подавлении эмиссии вторичных электронов с коллектора и коллиматорных щелей. Такой вторичный ток составляет пренебрежимо малую часть эмиссионного тока с плоскостей монокристалла вольфрама с малыми значениями работы выхода, но сопоставим по своей величине с током эмиссии плоскостей с большим значением работы выхода. Благодаря этому средние значения ф могут оказаться заниженными. Описанный способ использования электрода С вызывает сомнение в правильности значений ф для плоскостей ( ПО) и ( 112), полученных в этих экспериментах, особенно у Смита. Хьюз и др. показали, что при использовании натрия значения Ф для плоскостей ( НО) и ( 112) совпадают с соответствующими значениями ф в пределах ошибок измерения. Хотя такое хорошее согласование и является случайным, поскольку значение ф отдельной плоскости не может быть измерено совершенно независимо от ионизации на других плоскостях, оно все же свидетельствует в пользу того, что полученные ими значения Ф не слишком занижены. [34]
Вольфрамовая проволока из поликристаллической делается монокристаллической, вернее, составленной из немногих крупных монокристаллов. На ее поверхности по различным радиальным направлениям будут выходить разные грани монокристалла вольфрама, и значит, измеряя плотность электронного тока по разным радиальным направлениям, можно исследовать эмиссию из разных граней. Такие измерения были проделаны Никольсом, показавшим, что работа выхода для различных граней кристалла вольфрама может отличаться на 0 3 эв, а по более поздним измерениям Смирнова и Шуппе - даже на 1 эв. [35]
Эстрап, Андерсон и др. [194, 195] описали структуру адсорбированных слоев тория на вольфраме. На рис. 1.24 и 1.25 воспроизводятся электронограммы чистой поверхности ( 100) монокристалла вольфрама и адсорбированного на ней слоя тория. [36]
В павильоне Атомная энергия ВДНХ СССР на тематической выставке Низкотемпературная плазма отражены итоги развития научных поисков в этой области. Здесь представлены плазменные аппараты для сварки и резки металлов, плазмобуровые горелки для проходки скважин, плазменная установка для выращивания монокристаллов вольфрама, молибдена и его сплавов и многое другое. [37]
Исследования последних лет показали, что возникновение поверхности само по себе вызывает анизотропию свойств металла в приповерхностном слое. Теоретические расчеты и экспериментальные наблюдения показывают, что происходит перестройка поверхности металла. Например, на гранях монокристалла вольфрама отмеча-ется перегруппировка атомов в верхней плоскости параллельно самой себе. На других металлах, по данным ДМЭ, периодичность расположения атомов в поверхностных слоях различных граней монокристаллов отличается от объемной и свидетельствует о перестройке поверхности. Это наблюдается на платине, золоте и никеле. [38]
Химическая и кристаллографическая структуры различных кристаллических плоскостей одного и того же кристалла могут значительно различаться, поэтому следует изучать химические свойства кристалла в зависимости от вида экспонируемой грани. Такие исследования начались с известных экспериментов Гуотми и сотрудников, показавших, что монокристаллы меди и никеля реагируют с газами по-разному, в зависимости от вида грани, выходящей на поверхность. На рис. 2.16 приведены данные по адсорбции азота на монокристалле вольфрама, которые убедительно доказывают, что вероятность адсорбции, характер процесса и равновесное состояние для различных кристаллических граней значительно отличаются друг от друга. Наименее активна грань ( ПО), причем активность ее остается низкой и при адсорбции других газов, например водорода. Объясняется это тем, ято грань ( 110) имеет максимальную плотность атомов на поверхности и, как следствие, минимальную поверхностную энергию и высокую химическую стабильность. В некоторых случаях картина более сложна: например, при перестройке плоскости ( 100) структура ( 1 х 1) переходит в ( 1 х 5) или ( 5 х 20), адсорбционная способность которых значительно ниже. [39]
Наличие легко ионизирующихся добавок ( лантанированный и то-рированный вольфрам) снижает уровень температуры катода и растягивает во времени отмеченный выше характер структурных изменений вольфрама. По мере выхода этих присадок образуются крупные зерна вольфрама с направлением 100 по вектору тока. Данный характер изменения структуры является общим для вольфрамовых катодов, не зависит от исходной структуры, наличия легкоионизованных присадок, пористости материала. Наиболее стабильным в условиях катода является обезгаженный монокристалл вольфрама с направлением 100 по вектору тока. На катодах из монокристаллов вольфрама с направлениями ( 100) и ( ПО) по оси поверхность под привязкой оплавляется. На монокристалле с направлением ( 111) происходит рост усов, размер которых может достигать 1 - 3 мм. [40]
Наличие легко ионизирующихся добавок ( лантанированный и то-рированный вольфрам) снижает уровень температуры катода и растягивает во времени отмеченный выше характер структурных изменений вольфрама. По мере выхода этих присадок образуются крупные зерна вольфрама с направлением 100 по вектору тока. Данный характер изменения структуры является общим для вольфрамовых катодов, не зависит от исходной структуры, наличия легкоионизованных присадок, пористости материала. Наиболее стабильным в условиях катода является обезгаженный монокристалл вольфрама с направлением ( 100) по вектору тока. На катодах из монокристаллов вольфрама с направлениями ( 100) и 110 по оси поверхность под привязкой оплавляется. На монокристалле с направлением ( 111) происходит рост усов, размер которых может достигать 1 - т - 3 мм. [41]
По механической прочности вольфрам превосходит большинство других металлов. Твердость вольфрама по минералогической шкале колеблется между 4 - 5 и 8 it зависимости от способа обработки и наличия примесей. На рис. 70 приведен график изменения предела прочности монокристалла вольфрама в sa - вясимости от температуры; кривые эти указывают на существование критических точек при 800 - 900; 1600 и 2600 - 2700 К. Изменение предела прочности поликристаллического вольфрама в виде тянутой проволоки в зависимости от температуры характеризуется приведенными ниже цифрами. [42]
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [43] |
В предшествующем пункте мы видели, что для частиц, вылетающих из узлов решетки, направления вдоль кристаллографических осей и плоскостей являются закрытыми. Поэтому, если узлы монокристалла в результате ядерных процессов ( а-распад, упругое и неупругое рассеяние про: тонов) станут излучателями частиц, то в направлениях осей и плоскостей должны наблюдаться своеобразные тени. Это явление было предсказано и обнаружено А. Ф. Туликовым ( 1965) и названо им эффектом теней. На рис. 8.16 приведена система теней, которая создана на фотопластинке протонами, упруго рассеянными в монокристалле вольфрама. Пятно в центре представляет собой тень от цепочек, выстроенных вдоль этой оси. Остальные точечные тени образованы цепочками других направлений. Наконец, темные линии представляют собой тени от кристаллических плоскостей. [44]
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [45] |
Страницы: 1 2 3 4