Реальный монокристалл

Cтраница 1

Реальные монокристаллы обычно имеют мозаичную структуру. Весь монокристалл в этом случае разбит на так называемые блоки мозаики размером около 1 мкм. Блоки мозаики слегка разориентированы друг относительно друга. [1]

Реальные монокристаллы, как показали микроскопические и рентгеноструктурные исследования, редко имеют идеальное строение. Обычно они имеют мозаичную структуру. Блоки мозаики слегка разориентированы друг относительно друга. [2]

В реальных монокристаллах дислокации возникают в процессе кристаллизации, а также в процессе пластической деформации. [3]

Микрофотография образца кремния, полученная при инфракрасном освещении, подтверждающая существование источников Франка-Рида ( из работы Дэша. [4]

В случае реального монокристалла критическое напряжение ( TK) min, соответствующее пределу скольжения, может быть порядка 10 - 3 G. Это напряжение находится ъ равновесии с внутренними напряжениями, действующими между дислокацией и другими дефектами решетки, охватывающими несколько атомов. [5]

Схематическое изображение двух типов пластической деформации. [6]

При деформации реального монокристалла процессы скольжения и двойникования могут происходить одновременно и влиять друг на друга. Двойникование существенно отличается от скольжения. При последнем происходит непрерывное и устойчивое изменение ориентировки, в то время как перестройка решеток при двойниковании происходит с переходом через неустойчивое состояние скачком. Так как с понижением температуры сопротивление скольжению растет быстрее, чем сопротивление двойникованию, то при низких температурах легче образуются двойники [16], в частности, например, для а-железа. [7]

Типичные профили распределения примеси при каналировании первичных ионов.| Критические углы каналирования. [8]

Каналирование в реальном монокристалле всегда сопровождается эффектом деканалирования - выходом иона за пределы канала с последующим торможением в соседних с каналом областях решетки. Деканалирование связано с рассеянием ионов на дефектах решетки, главным образом на радиационных, возникающих в процессе ионного легирования. Этот эффект может наблюдаться даже при углах падения пучка, меньших критических. [9]

Так как в реальном монокристалле вакансии распределены достаточно неоднородно, то возможно одновременное присутствие в различных его областях как пор, так и оксидных частиц. [10]

Исследование явлений сегнетоэлектричества в реальных монокристаллах, керамике и термически конденсированных органических пленках - перспективное направление прикладной физики: эти наиболее обширные классы сегнетоэлектриков и полярных диэлектриков обладают заметной температурной зависимостью спонтанной поляризации, а значит - являются перспективными пироэлектрическими сенсорами. [11]

Основными типами дислокаций, встречающихся в реальных монокристаллах, являются краевая и винтовая дислокации. [12]

Предположение о существовании линейных дефектов кристаллической решетки реальных монокристаллов позволило не только объяснить причины различия расчетной и фактической величины касательных напряжений, вызывающих пластическую деформацию, но также выяснить многие вопросы, связанные с механизмом деформирования и явлениями, сопутствующими пластической деформации. [13]

В настоящем обзоре рассматривается вторая группа методов, относящихся к исследованию микроструктуры реальных монокристаллов. [14]

Если взаимная растворимость срастающихся веществ исключительно мала или практически отсутствует, то роль переходного слоя могут выполнять отдельные несовершенства реального монокристалла подложки, а именно дислокации и границы субзерен. [15]

Страницы: 1 2