Бездислокационный монокристалл

Cтраница 2

Как известно, теплопроводность бездислокационных монокристаллов меньше, чем монокристаллов с дислокациями. Это означает, что отвод тепла кристаллизации через твердую фазу при выращивании бездислокационных монокристаллов будет затруднен и, следовательно, должен увеличиться отвод через жидкую фазу. В свою очередь увеличение отвода тепла через жидкость приводит к расширению плоских участков на границе раздела. [16]

Как и в случае бездислокационных монокристаллов, эффективным способом устранения микродефектов и повышения однородности монокристаллов с дислокациями является термообработка выращенных слитков или вырезаемых из них пластин. [17]

Зависимости плотности дислокаций ( 1 и кривизны фронта кристаллизации ( 2 в монокристаллах германия от радиального температурного градиента в расплаве в области фронта кристаллизации.| Зависимость диаметра грани 111 германия на фронте кристаллизации от радиального температурного градиента в расплаве. [18]

Результаты исследования условий выращивания бездислокационных монокристаллов германия показывают, что переохлаждение расплава может сказываться на появлении и размножении дислокаций. Ранее отмечалось [3], что для выращивания бездислокационных монокристаллов германия необходимо поддерживать определенное переохлаждение. [19]

С плавающим тиглем успешно выращиваются бездислокационные монокристаллы диам. [20]

Экспериментальные наблюдения показали, что бездислокационные монокристаллы устойчиво растут в том случае, когда имеются условия для формирования граней ( 111), из чего можно предположить, что при выращивании монокристаллов в любом кристаллографическом направлении прежде всего происходит рост зеркально-гладких плоскостей 111 а затем - поверхности, примыкающей к этой области. [21]

После выхода на диаметр форма бездислокационных монокристаллов также существенно отличается от дислокационных. [22]

Изменение относительной концентрации группы ОН в синтетическом кварцевом стекле в зависимости от времени термической обработки при интенсивном ( 1 и обычном ( 2 режимах. [23]

Важнейшей составной частью процесса получения бездислокационного монокристалла является правильное затравливание. [24]

Рассмотрим в качестве примера поведение чистого бездислокационного монокристалла германия при термообработках. Исходный материал подвергается длительному отжигу при возможно низкой температуре TW3 для снижения концентрации вакансий. С достижением этой температуры концентрация вакансий в объеме кристалла ниже равновесной, но при выдерживании кристалла при этой температуре концентрация вакансий в объеме повышается за счет диффузий вакансий, возникающих на внешней поверхности. Объем кристалла возрастает, поскольку на поверхности образуются новые атомные слои, а в объеме появляется эквивалентное число вакантных узлов. Если после этого быстро охладить кристалл до температуры Ттз, то он будет содержать избыток вакансий по сравнению с равновесной концентрацией, соответствующей этой более низкой температуре. [25]

Торцевое сечение монокристалла с дефектами аномального травления. XIQ. [26]

Как уже указывалось, в бездислокационных монокристаллах, выращиваемых бестигельной зонной плавкой, были обнаружены структурные микродефекты. [27]

Прежде всего следует отметить, что бездислокационные монокристаллы [100], [110], [112], [123], [122], как видно из табл. 1, можно также выращивать с любой формой фронта кристаллизации. [28]

Осаждением из паров недавно были получены бездислокационные монокристаллы очень малых размеров - так называемые усы. Сопротивление сдвигу и прочность их были близки к теоретической величине. [29]

Появление бугров и ребер при выращивании бездислокационных монокристаллов по направлению [111] приводит к нарушению симметрии зоны расплава и устойчивости роста бездислокационных монокристаллов. Установлено [41, 229], что отклонение ориентации затравки от [111] оказывает большое влияние на количество, расположение и размер ребер. Применение такого приема обеспечивает выход на боковую поверхность монокристалла одного ребра, которое располагается на явной грани, тем самым обеспечивая наибольшую устойчивость роста монокристаллов без дислокаций. [30]

Страницы: 1 2 3 4