Бездислокационный монокристалл

Cтраница 3

В работе [79] обсуждаются результаты получения бездислокационных монокристаллов германия. Авторы подробно описывают технику выращивания и одним из основных условий получения слитков, свободных от дислокаций, считают равномерный выход на диаметр с углом конической части, не превышающим 12, с предварительным оттягиванием шейки диаметром 1 0 - 6 0 мм длиной 10 - 20 мм. Указывается, что несоблюдение этих требований вызывает значительное ухудшение структуры слитка. [31]

Исследования формы фронта кристаллизации при выращивании бездислокационных монокристаллов германия и кремния свидетельствуют о том, что совершенная структура образуется только при определенной конфигурации границы раздела фаз. Рози [26] наблюдал, что плоская или несколько выпуклая к расплаву поверхность роста приводит к кристаллам с минимальной плотностью дислокаций. [32]

Лабораторные испытания были ограничены выявлением возможности выращивания бездислокационных монокристаллов в условиях данной схемы экранирования. [33]

Нами было установлено, что достижение в бездислокационных монокристаллах концентраций углерода, больших ( 3 - 4) 1017 см 3, возможно только при введении его из газовой фазы. Интенсифицировать процесс испарения углерода из расплава можно, увеличивая испарение кислорода, который является транспортом для слаболетучего углерода. [34]

По описанной технологии в настоящее время успешно выращиваются бездислокационные монокристаллы диам. [35]

Таким образом, главной причиной отличия внешнего вида бездислокационных монокристаллов является большая величина переохлаждения при росте. [36]

Очевидно, что общая стратегия повышения структурного совершенства бездислокационных монокристаллов должна исходить из необходимости резкого снижения размеров и объемной плотности микродефектов различной природы. V / G и достаточно однородного распределения этого параметра по всей площади фронта кристаллизации на протяжении всего ростового процесса, а также оптимальных скоростей охлаждения выращиваемых кристаллов в тех интервалах температур, в которых происходит формирование тех или иных нежелательных ростовых микродефектов. Все это представляет собой достаточно сложную научно-техническую задачу. [37]

Провиден теоретический анализ влияния условий выращивания на форму дислокационных и бездислокационных монокристаллов. Показано, что выращенные в одинаковых условиях бездислокационные кристаллы по сравнению с дислокационными должны иметь более широкие явные грани и больший диаметр. [38]

Схема для анализа формы монокристалла. [39]

Зарождение новых слоев на этих гранях в случае выращивания бездислокационных монокристаллов происходит только в точке Ci ( рассматривается продольное сечение монокристалла), а для монокристаллов с дислокациями - в точке Сг. Застройка боковых граней происходит до встречи с фронтальной плоскостью ( 111) и изотермой ДГз. [40]

В работе [3] отмечалось, что в месте перехода бездислокационного монокристалла в монокристалл с дислокациями или в поликристалл на поверхности образуется своеобразный ободок, после которого диаметр монокристалла уменьшается, даже если тепловые условия и параметры роста сохраняются неизменными. Как показали дальнейшие исследования, уменьшение диаметра при переходе к монокристаллу с дислокациями происходит не всегда. Так, при выращивании монокристалла ориентации [111] с вогнутым фронтом кристаллизации, когда грань ( 111) на границе раздела фаз расположена по периферии и имеет одинаковую ширину ( см. рис. 2, 1 в), прорастание ее в часть монокристалла с дислокациями не сопровождается образованием ободка, а уменьшение диаметра при этом практически незаметно. [41]

Используя метод тонких шеек при бестигельной зонной плавке, можно вырастить бездислокационные монокристаллы достаточно больших диаметра и длины. При выращивании бездислокационных монокристаллов бестигельной зонной плавкой более четко проявляется бугор на конической части монокристалла. [42]

Таким образом, все типы микродефектов, образующиеся в процессе выращивания бездислокационных монокристаллов кремния, являются дефектами межузельного типа. На основании этих данных Э.Г. Шейхе-том предложена усовершенствованная модель, которая учитывает как процессы рекомбинации точечных дефектов, так и взаимодействие примесей с определенным типом избыточных точечных дефектов. При высоких скоростях роста образование микродефектов связано с процессами взаимодействия избыточных вакансий и межузельных атомов кислорода, при низких скоростях - с процессами взаимодействия избыточных собственных межузельных атомов кремния и атомов кислорода и углерода. Рост образовавшихся комплексов будет приводить к эмиссии собственных межузельных атомов кремния в матрицу и в результате становится возможным образование межузельных дислокационных петель - микродефектов Д - типа. [43]

Корреляция между разностью тетраэдрических радиусов атома Дга легирующей примеси и замещаемого атома в кристаллической решетке полупроводникового соединения и плотностью дислокаций в его монокристаллах ND. [44]

На практике легированием полупроводника упрочняющими примесями пользуются для получения мало - и бездислокационных монокристаллов диаметром до 3 - 4 см. При больших диаметрах нелинейный рост термоупругих напряжений обгоняет рост критического напряжения образования дислокаций, происходящий вследствие легирования полупроводника упрочняющими примесями. [45]

Страницы: 1 2 3 4