Выращенный монокристалл
Cтраница 2
Отступлений от стехиометрии, не связанных с примесями, не было обнаружено ни в выращенных монокристаллах, ни в тех же монокристаллах, подвергнутых прогреву в кислородной и нейтральной атмосфере. [16]
Анализ показал, что для случаев 1 - 5, 7 - 9 ( см. рис. 33) выращенные монокристаллы как бездислокационные, так дислокационные будут иметь симметричную форму. В случаях 1, 7 - 9 бездислокационные монокристаллы будут иметь большие диаметр и площадь фронтальной грани ( 111), чем выращенные в тех же тепловых системах монокристаллы с дислокациями. [18]
Во второй главе описываются применявшиеся нами способы очистки исходных материалов от посторонних примесей и методы контроля степени чистоты выращенных монокристаллов. В этой же главе рассматривается зависимость между световой суммой ультрафиолетовой люминесценции неактивированных фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений и концентрацией центров окраски, а также связь между спектрами поглощения центров окраски и спектральным распределением стимулирующего действия видимого света на ультрафиолетовое свечение. [19]
При измерении отражательной способности полярных плоскостей ( 111) и ( 1И) учитывался тот факт, что плотность дислокаций вдоль слитка выращенного монокристалла, по крайней мере в пределах толщины пластинки, на которой производились измерения, не изменяется. На обеих сторонах пластинки для измерения выбирались участки, симметричные относительно оси кристалла. Измерения показали, что отражательная способность плоскостей ( 111) и ( 111) кристалла фосфида галлия для Си / Са-излучения для всех трех порядков отражения ( 111, 222 и 333) в пределах экспериментальной ошибки ( 2 - 3 %) одинаковая ( см. табл. 2), что согласуется с теоретическими подсчетами. [20]
Длинные, расположенные на значительном удалении от поверхности расплава нагреватели типа, показанного на рис. 4.53, б, используют для отжига выращенных монокристаллов, снимающего остаточные термические напряжения. Короткие нагреватели кольцеобразной формы, располагаемые на расстоянии 1 - 2 мм от поверхности расплава в газовой атмосфере или во флюсе, смещают область интенсивного охлаждения монокристалла вблизи фронта кристаллизации в сторону более низких температур. Это повышает устойчивость монокристаллического роста и уменьшает плотность дислокаций, вероятность образования двойников и мозаичной структуры. Одновременно с этим стабилизация температуры вблизи области переохлажденного расплава, из которого растет монокристалл ( см. рис. 4.2), стабилизирует его диаметр. [21]
Еще одной иллюстрацией применимости метода исследования порошкообразных образцов служат результаты сопоставления дифракционных картин В и Г, где В получена при изучении осажденного порошка цианато-комплекса, а Г - при изучении выращенного монокристалла обычным кристаллографическим методом. Отметим, что картины отчетливо различаются. Однако из измерений магнитной восприимчивости следует, что и в том и в другом случае геометрия димерного катиона одна и та же. Упаковка кристаллической решетки в двух указанных случаях различна, хотя с электронной и химической точек зрения это одно и то же вещество. [23]
Таким образом, даже отожженный обычный монокристалл хотя и содержит в 106 раз меньше дислокаций, чем металл после холодной деформации, количество дислокаций в нем все же очень велико - в 103 - 10е раз больше, чем у тщательно выращенного монокристалла очень высокой чистоты. [24]
 |
Схема установки полунепрерывного действия для выращивания крупных монокристаллов кремния из расплава небольшой массы. [25] |
Мощные установки для выращивания монокристаллов кремния большой массы укомплектовывают манипуляторами. Они извлекают выращенный монокристалл из шлюзовой камеры установки и транспортируют его к установкам автоматического измерения удельного сопротивления. [26]
Кристаллизуясь из нагретого до высоких температур расплава, кремний поглощает повышенное, вплоть до предельной растворимости, равной 2 - Ю18 атом / см3, количество кислорода, входящего в состав твердого раствора. Однако после охлаждения выращенного монокристалла до 400 - 600 С и выдержки его при этих температурах в течение 1 ч и более, что имеет место при выращивании монокристаллов большого ( свыше 80 мм) диаметра, происходит распад твердого раствора с выделением комплексов кремний - кислород. Они могут быть выражены формулой типа Si-О, где п - целое число от 1 до 4 и более. Некоторые из этих комплексов, например Si-О, являются электрически активными. Возможно образование активных комплексов и при температурах свыше 600 С, особенно при длительном нахождении монокристалла кремния при этих температурах. [27]
Кристаллы часто не имеют внешней огранки правильного многогранника. Например, форма искусственно выращенных монокристаллов германия, кремния, сульфида кадмия и других полупроводников может быть очень разнообразной в зависимости от способа их получения. [28]
 |
Влияние симметрии теплового поля на распределение дислокаций в поперечном сечении монокристаллов полупроводников ( кремний, 111, XI. [29] |
Для предотвращения этого диаметр монокристалла перед отрывом от расплава плавно уменьшают, создавая так называемый обратный конус. С этой же целью выращенный монокристалл после отрыва от расплава и подъема на небольшое расстояние медленно охлаждают, плавно понижая температуру нагревателя тигля или дополнительного нагревателя монокристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4