Выращенный монокристалл

Cтраница 3

Бездислокационные монокристаллы получены на германии сопротивлением 24 0; 2 0; 3 0 ом См. Металлографическим анализом установлено, что выращенные монокристаллы были свободны от дислокаций на всей длине за исключением нижней его части. [31]

Одним из методов получения сильно легированных монокристаллов является диффузия. В этом случае в качестве исходных монокристаллов используются заранее выращенные монокристаллы. Для легирования монокристаллов используется метод диффузионного проникновения примеси в образец при высокотемпературном отжиге. Процессы диффузии осуществляются обычно в специальных высокотемпературных печах, где создается устойчивая атмосфера паров примеси над кристаллом. Концентрация примеси в образце определяется содержанием ее в газовой фазе и температурой диффузии. Часто примесь наносят непосредственно на образец химически, электролитически или путем напыления, а затем отжигают кристалл в атмосфере инертного газа. Одним из основных недостатков диффузионного метода легирования является большая длительность процесса, так как основные электрически активные примеси с мелкими уровнями образуют с полупроводником твердые растворы замещения и имеют очень малые коэффициенты диффузии в кристалле. [32]

Удельное сопротивление р. [33]

В табл. 21.3 [4, 5] приведено удельное сопротивление анизотропных монокристаллов вдоль и поперек главной оси. Данные для графита [6-8] соответствуют как монокристаллам природного происхождения графита-1, так и искусственно выращенным монокристаллам пиролитического графита-2. [34]

Оксид алюминия встречается в природе в виде твердого минерала корунда, используемого как абразивный материал для шлифовки и полировки металлов. Многие драгоценные камни - рубин, сапфир, аметист - разновидности корунда, окрашенные примесями. Искусственно выращенные монокристаллы рубина используются в лазерах, часовой и ювелирной промышленности. [35]

Наиболее плотно упакованные плоскости ( заштрихованы и направления сдвига ( показаны стрелками решеток. a - г. ц. к.. б - о. ц. к.. в - гексагональной. [37]

За редкими исключениями все технические материалы ( и прежде всего металлы) являются агрегатами очень большого числа зерен - поликристаллами, каждое из этих зерен в отличие от отдельно существующего кристалла - монокристалла называют кристаллитами. Для понимания закономерностей деформации и разрушения изучение только поликристаллов является совершенно недостаточным, так как в них каждый кристаллит, окруженный соседними зернами и взаимодействующий с ними, находится в условиях, с трудом поддающихся контролю и учету. Поэтому изучение поведения отдельных специально выращенных монокристаллов является главным путем установления физических закономерностей деформации, которые затем могут быть применены и для поликристаллов. [38]

Зависимость давления насыщенного пара р от температуры Т для оксидов второй. [39]

Кристаллическая решетка-кубическая типа NaCl. Порошок имеет белый цвет. Естественные ( нериклаз) или искусственно выращенные монокристаллы - бесг цветны. [40]

Вогнутый ( о и выпуклый ( б фронты кристаллизации с большой стрелой прогиба. [41]

Не отрицая принципиальной возможности протекания в отдельных случаях процессов полигонизации при выращивании монокристаллов кремния, укажем на ряд факторов, которые трудно объяснить исходя из этих позиций. Расчеты показывают [35, 37, 38], что при протекании процессов полигонизации расстояние между рядами дислокаций ( малоугловых границ) должно быть - 1 - 100 мкм. Такой сетки малоугловых границ в выращенных монокристаллах кремния не наблюдается. Многочисленные попытки, предпринятые авторами с сотрудниками, добиться образования малоугловых границ путем отжига в интервале температур 900 - 1400 С ( в течение 2 - 24 ч) монокристаллов кремния с ярко выраженными линиями скольжения не дали положительных результатов. [42]

Первый метод заключается в выращивании монокристаллов в расплавленном растворителе. Растворители должны иметь низкую температуру плавления и слабую летучесть. В расплавленном состоянии они должны хорошо растворять исходные оксиды, но не сам феррит и легко отделяться от выращенных монокристаллов. Технологический процесс заключается в следующем. Шихту составляют из растворителя и исходных компонентов феррита. После тщательного перемешивания она подвергается нагреванию и охлаждению по соответствующему тем-пературно-временному режиму. После охлаждения монокристалл отделяется. Таким образом, могут быть получены образцы размером до нескольких миллиметров. [43]

Основные параметры некоторых поликристаллических ферритов для СВЧ. [44]

Первый метод заключается в выращивании монокристаллов в расплавленном растворителе. Растворители должны иметь низкую температуру плавления и слабую летучесть. В расплавленном состоянии они должны хорошо растворять исходные оксиды, но не сам феррит, и легко отделяться от выращенных монокристаллов. Технологический процесс заключается в следующем. Шихту составляют из растворителя и исходных компонентов феррита. После тщательного перемешивания она подвергается нагреванию и охлаждению по соответствующему температурно-временному режиму. После охлаждения монокристалл отделяется. Таким образом, могут быть получены образцы размером до нескольких миллиметров. [45]

Страницы: 1 2 3 4