Cтраница 2
![]() |
Схема запоминающего элемента на КЛЮП-транзпсторах. [16] |
КМОП-транзисторов позволяет существенно снизить мощность потребления и повысить быстродействие ЗУ. Схема ЗЭ матрицы ОЗУ на КЛЮП-транзпсторах приведена на рис. 4.5. Адоесация и запись информации производятся непосредственной подачей логических уровней по шинам Х, Y: и D, D соответственно. [17]
Если при измерении напряжения мощность потребления вольтметра должна быть мала, то применяются электростатические или выпрямительные вольтметры. [18]
Одновременное обеспечение минимальных значений мощности потребления в статике PI и веса статора Га неосуществимо. [19]
![]() |
Схема запоминающего элемента на КМОП-транзисторах. [20] |
Применение КМОП-транзисторов позволяет существенно снизить мощность потребления и повысить быстродействие ЗУ. Схема ЗЭ матрицы ОЗУ на КМОП-транзисторах приведена на рис. 4.5. Адресация н запись информации производятся непосредственной подачей логических уровней по шинам Хь Yi и D, D1 соответственно. [21]
Основная проблема, препятствующая снижению мощности потребления транзисторными схемами, состоит в наличии токов утечки и уменьшении коэффициента усиления транзисторов при малых рабочих токах, а также наличии паразитных емкостей. [22]
![]() |
Схема ТТЛ-элемента И - НЕ со сложным инвертором. [23] |
Логические элементы на МОП-транзисторах обладают малой мощностью потребления и большим входным сопротивлением. На рис. 8.28 приведена схема МОП-элемента ИЛИ - НЕ, выполненного на транзисторах с каналом п-типа. [24]
Схемы с дополняющими транзисторами отличаются малой мощностью потребления и высоким быстродействием, так как в цепях заряда и разряда паразитных емкостей оказываются включенными малые сопротивления открытых транзисторов. [25]
При токе / 0 25 А мощность потребления энергии катушкой равна 25 Вт. Число витков катушки ш 500, а активное сопротивление ее обмотки, измеренное мостом постоянного тока, равно 240 Ом. [26]
![]() |
Схема базового элемента ДТЛ-типа ( а и его условное обозначение ( б. [27] |
Резистор Ri в значительной степени определяет мощность потребления схемы и среднее время задержки, так как задает ток -, включающий транзистор и заряжающий емкости входных диодов и транзистора. [28]
Для ИС всех ТТЛ-серий и серии ВСТ мощность потребления в основном определяется статической составляющей, а ее динамическая составляющая пренебрежимо мала. [29]
Погрешность измерения тем меньше, чем меньше мощность потребления амперметра Япр по сравнению с мощностью потребления цепи Р, в которой осуществляется измерение. Для измерения постоянного тока могут быть использованы приборы всех электроизмерительных систем ( кроме индукционной и электростатической): магнитоэлектрические, электродинамические, аналоговые и цифровые электронные амперметры. Измерение малых токов осуществляется магнитоэлектрическим измерителем совместно с уси-лител Ем постоянного тока ( УПТ), высокочувствительными магнитоэлектрическими зеркальными гальванометрами и гальванометрическими компенсаторами. [30]