Мощность - потребление
Cтраница 4
 |
Схемы четырехвходового логического элемента ТТЛ-типа. [46] |
Параметры современных отечественных ИС ТТЛ-типа следующие ( на примере ИС серии 155): время задержки 10 не, мощность потребления 10 мВт, уровень интеграции от единиц до 80 логических элементов в кристалле, функциональный набор ИС более 60 модификаций, напряжение питания 5 В, амплитуда логического сигнала 3 В. [47]
Использование ИС различных типов для построения устройств ЭВМ позволяет резко повысить их надежность и снизить габариты, массу и мощность потребления. [48]
 |
Схемы четырехвходового логического элемента ТТЛ-типа. [49] |
Параметры современных отечественных ИС ТТЛ-типа следующие ( на примере ИС серии 155): время задержки 10 не, мощность потребления 10 мВт, уровень интеграции от единиц до 80 логических элементов в кристалле, функциональный набор ИС более 60 модификаций, напряжение питания 5 В, амплитуда логического сигнала 3 В. [50]
Нагрузка в логических схемах на параллельных клюках напряжения может быть только пассивной, поэтому для увеличения быстродействия или уменьшения мощности потребления к их выходам часто подключаются дополнительные усилители-формирователи на ключах с управляемой нагрузкой. [51]
 |
Схема типового логического элемента на переключателях тока с суммированием коллекторных токов. [52] |
При проектировании быстродействующих монолитных интегральных схем средней и большой степени интеграции определяющим требованием к схемотехнике логических элементов является требование уменьшения мощности потребления и упрощения схемы даже в ущерб помехозащищенности, поскольку уровень наводок в пределах кристалла большой интегральной схемы ( БИС) может быть сведен разработчиком к минимуму. [53]
Параметры современных отечественных ИС ТТЛ-типа следующие ( на примере ИС серии 133, 155): время задержки 10 не, мощность потребления 10 мВт, уровень интеграции от единиц до 80 логических элементов в кристалле, функциональный набор ИС более 60 модификаций, напряжение питания 5 В, амплитуда логического сигнала - ЗЕ. [54]
Параметры современных ИС ЭСЛ-типа ( на примере серии 500) следующие: время задержки 1 5 - 2 0 не, мощность потребления 25 мВт ( в ненагруженном состоянии), уровень интеграции от единиц до 75 логических элементов на кристалле, амплитуда логического сигнала 0 8 В, напряжение основного источника электропитания 5 2 В, напряжение вспомогательного источника электропитания 2 0 - 2 4 В, способность работать на 50, 75, 100 - е согласованные линии связи, функциональный набор элементов более 40 модификаций. Для совместного использования с ИС ЭСЛ-типа в качестве местных, буферных и управляющих элементов памяти разработаны БИС полупроводниковых оперативных ЗУ емкостью 16, 64, 256 и 1024 бит и постоянных ЗУ емкостью 1024 бит с временем обращения в диапазоне 10 - 45 не. ИС ЭСЛ-типа являются наиболее быстродействующей современной элементной базой, предназначенной для проектирования технических средств электронных вычислительных машин высокой производительности. [55]
Основные электрические параметры - общие для всех типов цифровых интегральных схем, что позволяет сравнивать их между собой: быстродействие, мощность потребления, помехоустойчивость, коэффициент разветвления по выходу ( нагрузочная способность), коэффициент объединения по входу. [56]
Параметры современных ИС ЭСЛ-типа ( на примере серии 500) следующие: время задержки 1 5 - 2 0 не, мощность потребления 25 мВт ( в ненагруженном состоянии), уровень интеграции от единиц до 75 логических элементов на кристалле, амплитуда логического сигнала 0 8 В. В, напряжение вспомогательного источника электропитания 2 0 - 2 4 В, способность работать на 50, 75, 100 - е согласованные линии связи, функциональный набор элементов более 40 модификаций. Для совместного использования с ИС ЭСЛ-типа в качестве местных, буферных и управляющих элементов памяти разработаны БИС полупроводниковых оперативных ЗУ емкостью 16, 64, 256 и 1024 бит и постоянных ЗУ емкостью 1024 бит с временем обращения в диапазоне 10 - 45 не. ИС ЭСЛ-типа являются наиболее быстродействующей современной элементной базой, предназначенной для проектирования технических средств электронных вычислительных машин высокой производительности. [57]
 |
Базовая схема ( а синхронного элемента И-ИЛИ и временные диаграммы его работы ( б. [58] |
И-ИЛИ выполнены функционально как единое целое, благодаря чему уменьшено количество интегральных компонентов в схемах, увеличено их быстродействие, снижена мощность потребления. [59]
 |
Схема РРУ с управлением по току базы.| Схема РРУ с управлением по току эмиттера. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5