Cтраница 3
Здесь л ( - - концентрации, zi - валентности и А ( - - подвижности всех имеющихся в кристалле свободных зарядов - сорванных ионов разного знака и соответствующих дырок. Следует отметить, что передвижение дырки в кристалле есть на самом деле последовательное перемещение ионов, перескакивающих на ее место. Таким образом, прохождение электрического тока в ионных кристаллах связано с переносом ионов, составляющих кристалл, и представляет своеобразный электролиз в твердой фазе. Доходя до электродов и разряжаясь, ионы превращаются в нейтральные атомы, выделяющиеся на электродах. И действительно, точные опыты, проведенные при длительном пропускании тока через ионные кристаллы, подтвердили приложимость законов Фарадея (24.17) к этому случаю. [31]
Здесь я - - концентрации, zi - валентности и / г - - подвижности всех имеющихся в кристалле свободных зарядов-сорванных ионов разного знака и соответствующих дырок. Следует отметить, что передвижение дырки в кристалле есть на самом деле последовательное перемещение ионов, перескакивающих на ее место. Таким образом, прохождение электрического тока в ионных кристаллах связано с переносом ионов, составляющих кристалл, и представляет своеобразный электролиз в твердой фазе. Доходя до электродов и разряжаясь, ионы превращаются в нейтральные атомы, выделяющиеся на электродах. И действительно, точные опыты, проведенные при длительном пропускании тока через ионные кристаллы, подтвердили приложимость законов Фарадея (24.17) к этому случаю. [32]
Учитывая, однако, что геометрический фактор играет основную роль в определении КЧ атомов в кристаллических структурах полярных кристаллов, мы можем подойти к оценке влияния высоких давлений на структурные превращения твердых тел. В самом деле, есл структура кристаллического соединения является плотнейшей упаковкой анионов, то сжатие кристалла есть по существу сжатие анионов, что приводит к росту kr и, следовательно, к росту КЧ. [33]
Как показывает строгое рассмотрение, в кристаллах могут распространяться несколько типов волн смещений атомов. Они отличаются друг от друга движением атомов внутри одной ячейки кристалла. Поэтому в кристаллах есть фононы нескольких типов. Каждый тип фононов обладает своей специфической зависимостью энергии от импульса. [34]
Пусть G0 - группа симметрии, которой обладает кристалл в самой точке Кюри. Надо определить, какой может быть симметрия тела по обе стороны от точки Кюри. Пусть функция плотности кристалла есть р; мы должны определить ее возможную симметрию вне точки Кюри. [35]
Для анизотропных кристаллов коэффициент линейного расширения а различен для различных направлений. Это ведет к тому, что, расширяясь, кристалл не остается подобен самому себе: он меняет свою форму. Однако в каждом кристалле есть такие направления, вдоль которых физическая прямая остается прямой и при тепловом расширении. Эти направления называются кристаллографическими осями. Значения коэффициентов теплового расширения а вдоль кристаллографических осей называются главными. Для кристаллов некоторых систем эти три направления взаимно перпендикулярны. [36]
В структуре вюрт-цита атомов также больше, чем узлов примитивной гексагональной решетки. Здесь, как и для подавляющего большинства кристаллов, эти понятия не совпадают. Нужно всегда помнить, что решетка кристалла есть такая же математическая абстракция, как, например, элемент симметрии. Термин же структура подразумевает знание внутреннего строения кристалла: его химического состава, взаимного расположения атомов, точечных групп симметрии тех частиц, которые не лежат в узлах решетки, и еще ряда характеристик. [37]
Оказалось, что число отражающих центров в кристалле соответствует не числу молекул, а числу атомов, его составляющих. От понятия о кристаллической молекуле вообще приходится совсем отказаться или признать, что каждый кристалл есть лишь одна большая молекула. Атомы каждого элемента, входящего в состав кристалла, расположены в своей собственной пространственной решетке, и решетки разных элементов, так сказать, вдвинуты одна в другую и взаимно связаны в положении устойчивого равновесия. [38]
Знание размеров ячейки кристалла и веса атома гелия позволяет вычислить его плотность, которую, кроме того, можно определить и непосредственно взвешиванием. Оказалось, что получаются разные результаты - кристалл легче, чем ему положено быть. Положено быть, если кристалл классический - без вакан-сионов. В квантовом кристалле есть вакансионы - нелокализованные пустые узлы, поэтому он легче. [39]
В анизотропных кристаллах во всех направлениях с разной скоростью и разными показателями преломления распространяются две линейно-поляризованные волны, что обусловливает двойное лучепреломление. Один из этих лучей ( необыкновенный) колеблется в плоскости главного сечения кристалла, другой ( обыкновенный) - в плоскости, перпендикулярной к ней. В одноосных анизотропных кристаллах есть одно изотропное направление ( оптическая ось), вдоль к-рого луч света не поляризуется. [40]
Амплитуда волны для каждого узла различна и зависит от координат атомов. Когда атомы находятся в узлах волны, они поглощают меньше энергии. Так возникает аномальное поглощение. Если в кристалле есть нарушения правильности строения, то они препятствуют распространению волнового процесса. Эти нарушения создают теневую картину дислокаций малоугловых границ на рентгеновской пленке в виде менее экспонированных участков по сравнению с совершенным кристаллом. [41]
Имеется некоторый критерий, связанный с зонной теорией, для классификации кристаллов. У металлов зоны не полностью заполнены и часто каолюдоетоя перекрытие верхних полос. У остальных кристалл-в при абсолютном нуле температура ( Т 0) зоны или заполнены, или пустые, причем если расстояние между полосой энергии, nco. Больцмана), то кристалл есть изолятор, в противном случае кристалл обладает свойствами полупроводника. Для ориентировки укажем, что при комнатной температуре величина kT примерно равна 0 025 эв. [42]
Это - трудная, до сих пор нере -; шенная полностью задача. Ведь магнитное поле именно ориентирует магнитный момент. Итак, пусть в кристалле есть некоторое направление, определяемое единичным вектором п, вдоль которого магнитному моменту выгодно быть направленным. Это направление называют избранной осью, или осью анизотропии. [43]
При Г - - 0 К второй член уравнения превращается в бесконечно большую отрицательную величину. Таким образом, при всех температурах, отличных от нуля, кристалл характеризуется определенным отношением n / N. При всех температурах, кроме 0 К, в кристалле есть дефекты, но они не образуются самопроизвольно Окружающая кристалл среда, отдавая часть своей энергии на повышение температуры кристалла, приводит к образованию дефектов. [44]
Однако в некоторых сортах кристаллов этого не случается, в них наряду с упомянутыми выше дифракционными пиками имеется общий фон от рассеяния во всех направлениях. Мы должны попытаться понять столь таинственную с виду причину этого. Его спин равен J / 2, и тем самым он может находиться в двух состояниях: либо его спин направлен вверх ( скажем, поперек страницы на фиг. Но когда и у ядер кристалла есть спин, равный, скажем, тоже 111, то вы заметите фон от описанного выше размазанного рассеяния. Объяснение состоит в следующем. [45]