Эквивалентная мощность - шум - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон Сигера: все, что в скобках, может быть проигнорировано. Законы Мерфи (еще...)

Эквивалентная мощность - шум

Cтраница 1


1 Ный дельтаобразным световым импульсом на входе, оказывается растянутым во времени. Современные ФЭУ имеют импульсную характеристику, постоянная времени которой не превышает 20 не.| Спектральная зависимость квантовой эффективности. [1]

Эквивалентная мощность шума для pm - диодов определяется, главным образом, шумовыми характеристиками последующего усилительного тракта.  [2]

Определить порог чувствительности и эквивалентную мощность шумов фотосопротивления размерами 0 5X0 5 мм, которое при облученности 1 мквт / см2 ( при синусоидальной модуляции сигнала) обеспечивает на выходе усилителя с полосой пропускания 100 гц отношение сигнала к шуму, равное трем. Излучатель ( абсолютно черное тело) находится на расстоянии 2 м от приемника. Чему равна обнаружительная способность D этого приемника.  [3]

Заметим, что Т - эквивалентная мощность шумов, достигающая детектора, выраженная в единицах температуры и равная истинной температуре излучателя только в том случае, если источник излучает как черное тело.  [4]

Порог чувствительности Ро ( Вт) - эквивалентная мощность шумов, равная потоку излучения, который создает в приемнике сигнал, равный среднеквадратичному значению шума.  [5]

6 Пороговая чувствительность приемников на основе РФП.| Иммерсионные системы к приемным элементам из n - InSb с коническим конденсором ( а и обращенная с отражателем ( б. [6]

Расчетным путем и экспериментально было установлено, что эквивалентная мощность шумов уменьшается с увеличением удельного сопротивления материала на постоянном токе. При использовании материалов с разницей концентраций доноров и акцепторов ЛГд-JVa 5 - 1012 - 1013 см-3 и степенью компенсации 0 995 получена чувствительность 5102 - 103 В / Вт. При повышении температуры чувствительность падает, а эквивалентная мощность шумов, начиная с 7 - 8 К, резко увеличивается. Установлено, что существует оптимальная напряженность электрического поля, создаваемого источником смещения-около 0 3 В / см. Чувствительность приемников рассматриваемого типа остается практически постоянной во всем ММ диапазоне; начиная с длины волны 1 мм, она уменьшается быстрее, чем А 2, и на длине волны 0 4 мм падает на порядок, при Л0 2 мм - на два порядка.  [7]

Величина, обратная D при Д / 1 Гц, иногда называется эквивалентной мощностью шума. Если увеличить площадь поверхности фотодетектора, то голограммы в голограммной плоскости можно сделать меньшего диаметра, поскольку теперь допустима большая дифракционная расходимость пучка. Чтобы скомпенсировать эти ухудшения, требуются большое отношение сигнал / шум и большая полоса частот, а следовательно, и большая способность к обнаружению. Полоса частот является величиной, обратной наименьшему возможному времени произвольной выборки.  [8]

9 Эквивалентная схема кристаллического диода с запорным слоем. Лп - сопротивление запорного слоя. Сп - его емкость. та - сопротивление растекания базы. Lt - индуктивность выводов. Ск - емкость кор-луса. [9]

Свойства диодов при видеодетектировании принято характеризовать вольт-ваттной ( или ампер-ваттной) чувствительностью 5udC / Bbix / 4P ( 5 - d / BbIX / dP), эквивалентной мощностью шумов или минимальной обнаруживаемой мощностью, и постоянной времени. Вольт-ваттная и ампер-ваттная чувствительности в ММ и СБМ диапазонах сильно зависят от значений емкости перехода Сп и сопротивления растекания rs, что и предопределяет требования к диодам этого диапазона и особенности их технологии. Индуктивность выводов в реальных конструкциях может быть сделана столь малой, что ее влиянием можно пренебречь; емкость корпуса тоже может быть достаточно малой, так как в коротковолновом участке ММ диапазона и СБМ диапазоне диоды выполняются без корпусов. Таким образом, Сп и rs являются главными паразитными элементами, ограничивающими верхний частотный предел диодов.  [10]

С другой стороны, для тепловых приемников справедливо соотношение Fmtii - kFo ] / A / 4T, где k - отношение сигнал / шум, при котором работает прибор; FO - удельная чувствительность приемника, соответствующая эквивалентной мощности шумов для единичной площадки при единичной полосе пропускания регистрирующей системы; Ahs - его площадь; т - постоянная времени регистрирующего устройства.  [11]

Минимальная обнаруживаемая мощность Pmin, равная мощности излучения, которую необходимо подвести ко входу приемника, чтобы получить на его выходе сигнал, равный шумовому напряжению. Часто вводится такая характеристика, как эквивалентная мощность шумов ( ЭМШ), определяемая как среднее квадратиче-ское значение мощности излучения, модулированной синусоидальным сигналом, которое позволяет получить на выходе приемника напряжение сигнала, равное среднему квадратическому напряжению шумов.  [12]

13 К определению однополооной. [13]

Тпр, системы Тс или значение Рпред, приведенное к полосе 1 Гц. Последняя характеристика из - о вестна как эквивалентная мощность шума - НЕП.  [14]

Расчетным путем и экспериментально было установлено, что эквивалентная мощность шумов уменьшается с увеличением удельного сопротивления материала на постоянном токе. При использовании материалов с разницей концентраций доноров и акцепторов ЛГд-JVa 5 - 1012 - 1013 см-3 и степенью компенсации 0 995 получена чувствительность 5102 - 103 В / Вт. При повышении температуры чувствительность падает, а эквивалентная мощность шумов, начиная с 7 - 8 К, резко увеличивается. Установлено, что существует оптимальная напряженность электрического поля, создаваемого источником смещения-около 0 3 В / см. Чувствительность приемников рассматриваемого типа остается практически постоянной во всем ММ диапазоне; начиная с длины волны 1 мм, она уменьшается быстрее, чем А 2, и на длине волны 0 4 мм падает на порядок, при Л0 2 мм - на два порядка.  [15]



Страницы:      1    2