Cтраница 2
Широкое применение находят смесители на диодах типа металл - окисел - полупроводник ( МОП), которые представляют собой выпрямляющий барьер Шотки, постоянная времени которого определяется дрейфовой скоростью электронов в области барьера и составляет 10 - п с, что определяет границу спектрального диапазона. Из-за высокого сопротивления растекания rt в полупроводниковой подложке граничная частота / Гр ( 2ягс) - оказывается примерно на три порядка меньше предельной частоты / Прт-1. Вольт-ваттная чувствительность Y в ММ диапазоне порядка 102 В / Вт, а эквивалентная мощность шума около К) - 19 Вт / Гц; на Хг0 4 мм минимальная обнаруживаемая мощность К) - 12 - 10 - 13 Вт / Гц. Значение frp ограничивает применение МОП-смесителя с подложкой из кремния для измерения частоты HCN-лазера с Я337 мкм. Сопротивление растекания г может быть уменьшено при использовании полупроводника с большей подвижностью носителей, например InAs. [16]