Допустимая импульсная мощность
Cтраница 1
Допустимая импульсная мощность для внешнего отверстия связи составляет, таким образом, только 0 0776 от допустимой импульсной мощности внешнего ( подводящего) волновода. [1]
 |
Решетки из 180-градусных углов, скругленных для обеспечения постоянства напряженности электрического поля. [2] |
Отсюда допустимая импульсная мощность будет равна 1 МгвгХО 7ХО 7ХО 50 25 Мгвт. [3]
 |
Решетки из 180-градусных углов, скругленных для обеспечения постоянства напряженности электрического поля. [4] |
Отсюда допустимая импульсная мощность будет равна 1 МгвтХ0 7X0 7X0 5 0 25 Мгвт. [5]
 |
Схемы волноводного полоснопропускающего фильтра ( а, его прототипа нижних частот ( г и их характеристики ( в и б. [6] |
Уровень допустимой импульсной мощности ограничивается величиной пробивного напряжения в тех участках внутри фильтра, где создается высокая напряженность электрического толя. [7]
Теоретическое значение допустимой импульсной мощности на средней частоте для фильтра с воздушным заполнением при атмосферном давлении ограничивается пробивной напряженностью резонаторов и, как можно определить из рис. 15.03.2, составляет около 2 25 Мгвт. [8]
 |
Диаграмма поправочных коэффициентов для оценки допустимой мощности. [9] |
Этот случай соответствует максимальной допустимой импульсной мощности в коаксиальной линии [34] при условии, что в ней может распространяться только основная волна ТЕМ. [10]
Максимально допустимый импульсный ток транзистора определяется допустимой импульсной мощностью рассеяния. [11]
В табл. 15.03.1 приведены формулы для расчета допустимых импульсных мощностей Р некоторых линий передачи, а также для допустимой импульсной мощности ( Pqh) o в середине полосы пропускания объемных резонаторов, построенных из этих линий. Как будет видно далее из материала данного параграфа, уровень допустимой мощности вблизи края полосы пропускания меньше, чем с ее середине. [12]
 |
Вольт-амперные характеристики кремниевого диода Д211 при различных температурах окружающей среды. [13] |
У кремниевых диодов с контролируемым лавинообразованием величина допустимой импульсной мощности рассеяния при протекании обратного тока обычно на несколько порядков больше, чем у обычных кремниевых диодов, пробой которых происходит в местах выхода / 7-я-перехода на поверхность кристалла. [14]
В - даяном параграфе рассматривается вопрос о допустимой импульсной мощности лолоснопролускающих фильтров типа, представленного на рис. 15.03. la с частотной характеристикой, показанной на рис. 15.03.1 в. [15]
Страницы: 1 2 3