Допустимая импульсная мощность
Cтраница 3
Используя соответствующее соотношение из табл. 15.03.1 ( что допустимая импульсная мощность Р т внешнего волновода равна 76 4ЛД, Мгвт для воздуха при стандартных давлении и температуре), находим, что максимально допустимая импульсная мощность внешних отверстий связи в середине полосы пропускания, где фильтр согласован, равна 4 06, 4 24 и 4 37 Мгвт соответственно на частотах 1250, 1 300 и 1350 Мгц. Это превышает допустимую импульсную мощность резонаторов. [31]
Используя - соответствующее соотношение из табл. 15.03.1 ( что допустимая импульсная мощность Р т внешнего волновода равна 76 4 - K / Xg, Мгвт для воздуха при стандартных давлении и температуре), находим, что максимально допустимая импульсная мощность внешних отверстий связи в середине полосы пропускания, где фильтр согласован, равна 4 06, 4 24 и 4 37 Мгвт соответственно на частотах 1250, 1300 и 1350 Мгц. Это превышает допустимую импульсную мощность резонаторов. [32]
Заметим, что кривые 2 - 6 строятся по формуле, аналогичной (10.8), при замене Pc ( Av) m на PGM, где Рам - максимально допустимая импульсная мощность на управляющем электроде при заданном значении скважности импульсов. С ростом скважности мощность PGM растет, однако ее рост ограничивается максимально допустимой импульсной мощностью на управляющем электроде Ромт, типичные значения которой для различных типов тиристоров лежат обычно в интервале 10 - 40 Вт. Кривая 6 на рис. 10.26 соответствует значению Рамт. [33]
Гоулд ( Gould) 26 ] другие авторы ( 27 ] провели обширные исследования явлений тазового пробоя; тем, кто интересуется данным вопросом более подробно, следует обратиться к их работам. Харт ( iHart) и другие 28, 29 ] провели, кроме того, измерения величины допустимой импульсной мощности для целого ряда полноводных элементов и узлов. [34]
 |
Принципиальная схема запирания тиристора. [35] |
Минимальное сопротивление резистора Я определяется значением предельного тока ключа Л или допустимой мощностью в импульсе, рассеиваемой в управляющем р-п переходе тиристора ЗТ при протекании запирающего тока. В последнем случае для определения сопротивления RMKU необходимо на ВАХ управляющего перехода тиристора ЗТ через точку - Е0 провести прямую, касательную к кривой допустимой импульсной мощности. [36]
Если допустить, что ( ЛЯ) Внутр2Явнешн, то на указанных частотах допустимая импульсная мощность внутренних отверстий будет равна 7 00, 7 35 и 8 53 Мгвт соответственно. Из графиков на рис. 15.03.3 находим, что при ю 1 4 напряженность поля во втором и третьем резонаторах возрастает приблизительно в 1 4 раза по сравнению с ее значением в середине полосы пропускания. Поэтому на данной частоте разность напряженности ( АЯ) внут. Следовательно, и допустимые импульсные мощности внутренних отверстий снизятся приблизительно в два раза по сравнению с их значением в середине полосы пропускания, но все еще останутся выше допустимой импульсной мощности самих резонаторов фильтра. [37]
Страницы: 1 2 3