Удельная мощность - рассеяние
Cтраница 1
Удельная мощность рассеяния на аноде дана с учетом излучения с катода и экранирующей сетки. [1]
 |
Конструкции пленочных резисторов различной формы. [2] |
ЬР - ширина резистора, определяемая допустимой удельной мощностью рассеяния Р0; Ьточа - минимальная ширина резистора, при которой точность его изготовления равна заданной; ал - относительное среднеквадратичное отклонение сопротивления резистора; ог. [3]
 |
Q. Зависимость между превышением температуры и удельной мощностью рассеяния при различных условиях теплопередачи. / - плохие. 2 - средние. 3 - хорошие. [4] |
При проектном расчете превышение температуры электромагнита может быть определено по удельной мощности рассеяния яуд, приходящейся на единицу поверхности охлаждения ( см. (4.30)), по графику рис. 4.20, полученному экспериментально для установившегося теплового режима рассматриваемых типов броневых электромагнитов. [5]
Обычный ( белый) никель применяется в качестве материала анодов в лампах с малой удельной мощностью рассеяния на аноде. Для ламп с большой удельной мощностью применяются черненый или матированный никель и алюминированные сталь и никель, поверхность которых после отжига в водороде чернеет и обладает высоким коэффициентом излучения. Преимуществом алюминированной стали являются относительно легкая обезгаживаемость и малое газоотделение при работе лампы. Однако из-за большой жесткости этого материала изготовление анодов из него создает ряд технологических трудностей. [6]
Резистивный материал выбирают с учетом удельного сопротивления единицы поверхности пленки ро, ее толщины t, допустимой удельной мощности рассеяния / V Необходимое удельное сопротивление должно обеспечиваться при толщине пленки не менее 0 05 мкм, в противном случае надежность резисторов при повышенных электрических и тепловых нагрузках не гарантируется. Следует учитывать также, что допустимая удельная мощность рассеяния для конкретного резистивного материала определенной толщины зависит от теплопроводности материала подложки и класса чистоты обработки ее поверхности. Поэтому при конструировании микросхем, работающих при повышенной мощности рассеяния, допустимую мощность целесообразно рассчитывать по температуре локального перегрева в зоне резистора, которая не должна превышать 100 С. [7]
Во избежание перегрева за счет ухудшения теплоотвода в условиях пониженного атмосферного давления у резисторов с большим и удельными мощностями рассеяния необходимо снижать электрическую нагрузку до значений, указанных в нормативной документации. [8]
 |
Зависимость удельного сопротивления провода от превышения температуры. [9] |
Графики ( рис. 11.3) позволяют решать обратную задачу: по известным значениям мощности ЭМ и его площади охлаждения определять удельную мощность рассеяния, и, таким образом, превышение температуры ЭМ при продолжительном включении. [10]
Уравнения Ф ( тэ) const и U ( г э) const в пространствах напряжений и скоростей деформаций изобразят поверхности постоянной, средней по объему тела удельной мощности рассеяния, которые в теории установившейся ползучести играют роль, аналогичную роли функции течения в теории идеальной пластичности. [11]
В ряде работ, например [1, 2], было показано, что интенсивность процессов ползучести и накопление поврежденности в разных точках неравномерно прогретого тела можно оценивать по величинам удельной мощности рассеяния W JijTHj, где Oij и r) ij - соответственно компоненты тензоров напряжения и скорости деформаций ползучести. [12]
Резистивный материал выбирают с учетом удельного сопротивления единицы поверхности пленки ро, ее толщины t, допустимой удельной мощности рассеяния / V Необходимое удельное сопротивление должно обеспечиваться при толщине пленки не менее 0 05 мкм, в противном случае надежность резисторов при повышенных электрических и тепловых нагрузках не гарантируется. Следует учитывать также, что допустимая удельная мощность рассеяния для конкретного резистивного материала определенной толщины зависит от теплопроводности материала подложки и класса чистоты обработки ее поверхности. Поэтому при конструировании микросхем, работающих при повышенной мощности рассеяния, допустимую мощность целесообразно рассчитывать по температуре локального перегрева в зоне резистора, которая не должна превышать 100 С. [13]
Повышение плотности упаковки приводит к увеличению удельной мощности рассеяния ( до 20 Вт / см3), особенно в быстродействующих БИС. Отвод таких мощностей требует разработки специальных конструкций корпусов с принудительным охлаждением. [14]
Повышение плотности упаковки приводит к увеличению удельной мощности рассеяния ( до 20Вт / см3), особенно для быстродействующих БИС. Отвод таких мощностей требует разработки специальных конструкций корпусов с принудительным охлаждением. [15]
Страницы: 1 2