Cтраница 2
Далее, выбрав материал анода с допустимой удельной мощностью рассеяния ра, по формуле (2.33) следует определить поверхность анода / у, необходимую для рассеяния мощности Ра и решить вопрос о необходимости ребер. [16]
Однако для анодов ламп специальных конструкций преимущество все же остается за водяным охлаждением. Наряду с описанным в § 10 - 3 охлаждением кипением, позволяющим довести удельную мощность, рассеиваемую рабочей поверхностью нагрева анода, до 500 вт / см, возможно осуществление анодов с принудительным водяным охлаждением на удельную мощность рассеяния вплоть до 1 квт / см2 или несколько выше. [17]
Материал Х27К50ТМ, разработанный на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома, предназначен для изготовления резистивных пленочных элементов интегральных схем методом испарения в вакууме либо катодного распыления в среде инертных газов. Сплав обладает рядом уникальных свойств: позволяет перекрыть широкий диапазон удельных сопротивлений при низких ТКС; пленочные элементы на его основе имеют линейную зависимость сопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4 2 К; допускают удельную мощность рассеяния до 2кВт / см2, что на порядок выше удельной мощности, допустимой для других известных материалов. [18]
Печатные резисторы в ГИМ СВЧ практически не отличаются от резисторов низкочастотного диапазона. Здесь их используют в цепях смещения транзисторов и диодов, в качестве аттенюаторов и нагрузок. В последнем случае требуется более высокая ( на порядок) удельная мощность рассеяния, до 40 Вт / см2, достигаемая при принудительном охлаждении с учетом того, что на один ГИМ СВЧ приходится несколько резисторов. Благодаря повышенному удельному электрическому сопротивлению резистивного слоя поверхностный эффект практически не проявляется и ток течет по всему сечению резистора. [19]
Охлаждение анода может происходить за счет лучеиспускания через колбу лампы или за счет принудительного охлаждения, осуществляемого проточной водой или воздушным дутьем. Так как используемые на практике диоды обычно имеют малые выделяемые ка аноде мощности, то обычно достаточно охлаждения за счет лучеиспускания. В этом случае существенное значение имеет материал анода и состояние его поверхности. В приложении II приведены данные допустимых удельных мощностей рассеяния для разных материалов анода. [20]
При проектировании ИС с большой степенью интеграции ( БИС) необходимо решить две проблемы. Первая - возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Эти размеры определяются заданными электрическими параметрами и разрешающей способностью технологического оборудования. При этом следует учесть, что для изготовления БИС требуется более трудоемкий технологический процесс, чем для изготовления ИС с малой степенью интеграции. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обусловливают увеличение удельной мощности рассеяния. Работа элементов в условиях повышенной температуры приводит к уменьшению надежности элементов и микросхемы в целом. Поэтому БИС, как правило, имеют специальные конструкции корпусов. [21]
При проектировании ИМС с большой степенью интеграции ( БИС) необходимо решить две проблемы. Первая - возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Эти размеры определяются заданными электрическими параметрами и разрешающей способностью технологического оборудования. При этом следует учесть, что для изготовления БИС требуется более трудоемкий технологический процесс, чем для изготовления ИМС с малой степенью интеграции. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обусловливает увеличение удельной мощности рассеяния. Работа элементов в условиях повышенной температуры приводит к уменьшению надежности элементов и микросхемы в целом. Поэтому БИС, как правило, имеют специальные конструкции корпусов. [22]
При проектировании ИМС с большой степенью интеграции ( БИС) необходимо решить две проблемы. Первая - возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Эти размеры определяются заданными электрическими параметрами и разрешающей способностью технологического оборудования. При этом следует учесть, что для изготовления БИС требуется более трудоемкий технологический процесс, чем для изготовления ИМС с малой степенью интеграции. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обусловливает увеличение удельной мощности рассеяния. Работа элементов в условиях повышенной температуры приводит к уменьшению надежности элементов и микросхемы в целом. Поэтому БИС, как правило, имеют специальные конструкции корпусов. [23]