Допустимая мощность - рассеивание
Cтраница 2
Допустимая мощность рассеивания доп, вт, устанавливается, исходя из длительного режима работы для каждого типа стабилитрона, значение этой мощности зависит от площади р-п перехода, конструкции теплоотвода и интенсивности охлаждения. [16]
 |
Простая схема блокировки с сернистокадмиевым - фотосопротивлением. [17] |
Значительная допустимая мощность рассеивания сернисто-кадмиевых фотосопротивлений ( ФС-КО, ФС-К1 и ФС-К2) позволяет включать эти ФС непосредственно в сеть переменного и постоянного тока напряжением до 220 в и использовать их в простых схемах без электронных ламп и тиратронов. На рис. 210 приведена схема такого простого фотореле. Здесь фотосопротивленпе ( ФС) включено непосредственно в сеть переменного тока последовательно с полупроводниковым выпрямителем В и обмоткой чувствительного реле постоянного тока Pi. Поскольку контакты такого реле не могут быть использованы для переключения цепей мощностью более 1 вт, в схеме предусмотрено промежуточное реле Рз достаточной мощности. [18]
Превышение допустимой мощности рассеивания, допустимого значения напряжения на переходе, а также значительное повышение температуры окружающей среды приводят к увеличению тока через переход за счет нарушения валентных связей в структуре полупроводника. Увеличение тока через переход вызывает увеличение рассеиваемой на нем мощности и, следовательно, повышение температуры перехода. Повышение температуры перехода приводит к еще большему возрастанию тока через переход и процесс становится лавинообразным. Если во внешней цепи последовательно с переходом включено достаточно большое сопротивление, величина которого ограничивает ток через переход до некоторой безопасной величины, то этот процесс будет обратим и транзистор ( после выключения) полностью сохранит свои свойства. Если такое ограничение не предусмотрено, то ток будет нарастать до полного выхода транзистора из строя. Поэтому при работе транзистора в перегруженных режимах всегда следует иметь в виду, что в цепи коллектора крайне желательно иметь токоограничивающее сопротивление. [19]
 |
Общие технические данные стабилитронов серий СК и СКС. [20] |
Значения допустимой мощности рассеивания РЛОП приведены для окр 25 С. При окр 120 С величина / д ( ш снижается до 30 % от указанных значений. [21]
Ра доп - допустимая мощность рассеивания, при которой нагрев анода потоком электронов становится критическим. Поскольку Ра Ua Ia, то эта зависимость выражается гиперболой, так как Радоп const, a Ua и / а - переменные. При превышении допустимой мощности анод перегревается и может разрушиться. [22]
Транзисторы классифицируются по допустимой мощности рассеивания и по частоте. В соответствии с принятой классификацией транзисторы по величине мощности, рассеиваемой коллектором, делятся на-транзисторы малой ( Р 3000 мВт), средней ( Рк 1 5 Вт) и большой ( Рк 1 5 Вт) мощности. По значению предельной частоты, на которой могут работать транзисторы, их делят на низкочастотные 3 МГц), среднечастотные 30 МГц), высокочастотные 300 МГц) и сверхвысокочастотные. Низкочастотные маломощные транзисторы обычно изготавливают методом сплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей они относятся к бездрейфовым. [23]
Транзисторы классифицируются по допустимой мощности рассеивания и по частоте. [24]
Проверка показала, что допустимая мощность рассеивания во всем диапазоне напряженностей и концентрация электролита для данной схемы и для схемы с ромбовидными перегородками и изолированным дном ( рис. 8) при одних и тех же параметрах ( 5нач280 см2; Q 60 м3 / ч) одинаковы. Эти выводы действительны для всего диапазона роторных данных ( подъемных электродвигателей. [25]
Мощность Рк должна быть меньше допустимой мощности рассеивания триода. Окончательная оценка выделяемой в триоде мощности должна проводиться после расчета цепи базы. [26]
Температура фоторезисторов определяет и допустимую мощность рассеивания ( рис. 19), причем до температуры - йО - 50 С мощность не изменяется. [27]
 |
Переходные процессы в ламповом триггере. [28] |
Нижняя граница анодной нагрузки определяется допустимой мощностью рассеивания на аноде открытой лампы. [29]
 |
Схема образования р-п - - р структуры в сплавном транзисторе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4