Cтраница 3
Методом сплавления изготовляются транзисторы с допустимой мощностью рассеивания от 0 01 до 30 вт и предельной частотой усиления по току до 30 Мгц. [31]
Нагрузочная прямая должна проходить ниже линии допустимой мощности рассеивания на коллекторе Рк. Выполнение этих условий исключает перегрев транзистора и обеспечивает минимальный коэффициент нелинейных искажений. [32]
Нагрузочная прямая должна проходить ниже линии допустимой мощности рассеивания на коллекторе Ркдоп и делиться в точке О на два приблизительно равных отрезка ОА и ОВ. Выполнение этих условий исключает перегрев транзистора и обеспечивает минимальный коэффициент нелинейных искажений. [33]
Но уменьшение площади контакта уменьшает величину допустимой мощности рассеивания. Кроме того, они обладают малой величиной обратного напряжения. [34]
Отметим, что величина RKz определяется допустимой мощностью рассеивания на транзисторе Т2 ( в данном случае 0 5 вт) и в меньшей степени ограничениями на ток, отбираемый от источника питания. Величина R3i определяется из условия формирования отрицательного фронта при скачкообразном входном сигнале и может быть подсчитана, например, методом заряда. [35]
Эту величину нетрудно выбрать меньшей, чем допустимая мощность рассеивания. [36]
![]() |
Импульсное напряжение для питания моста. [37] |
Наибольшее действующее значение напряжения определяется исходя из допустимой мощности рассеивания на резисторах. [38]
Правильность выбора транзистора проверяют с точки зрения допустимой мощности рассеивания на коллекторе РК. [39]
По назначению транзисторы классифицируют в зависимости от допустимой мощности рассеивания на коллекторе, граничной частоты, коэффициента усиления по току. [40]
Определяя / Си, необходимо учитывать снижение допустимой мощности рассеивания при повышении температуры. Так, номинальная мощность рассеивания ( начиная с 40 С для резисторов типа ВС и 70 С для резисторов типа МЛТ) снижается примерно на 1 5 % на каждый градус повышения температуры. В каталогах на эти элементы имеются графики, позволяющие определять допустимую мощность Рдоп для заданной температуры. [41]
При увеличении температуры окружающей среды свыше 50 С допустимая мощность рассеивания снижается на 2 8 мет на каждый градус. [42]
![]() |
Номинальные значения сопротивлений типа ПЭ. [43] |
Для компактности монтажа желательно устанавливать сопротивления, имеющие минимальную допустимую мощность рассеивания. [44]
![]() |
К условию задачи §.| Схема соединений элементов и устройств ( а и образование одного узла ( б по принципиальной схеме. [45] |