Допустимая мощность - рассеяние
Cтраница 2
 |
Структурная схема ( а и вольт-амперные характеристики кремниевого симметричного ограничителя напряжения ( б и стабилитрона ( в. [16] |
Допустимая мощность рассеяния ограничителя напряжения зависит от площади полупроводниковой структуры, степени однородности р-п-перехода и рабочей температуры. [17]
 |
Схема последовательного включения полупроводниковых триодов в цепи возбуждения генератора. [18] |
Допустимая мощность рассеяния триода П-207 при дополнительном теплоотводе может быть повышена до 100 em и в этом случае он спс собен управлять током возбуждения генераторов значительно большей мощности. [19]
Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора ( рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности вольт-амперной характеристики. [20]
 |
Основные параметры стабилитронов. [21] |
Допустимая мощность рассеяния приведенных кремниевых стабилитронов составляет 280 мет. [22]
Допустимую мощность рассеяния на аноде можно повысить в некоторое число раз р, используя вместо неподвижного анода вращающийся дискообразный анод, так как при этом анодный ток распределяется на площадь, в р раз большую, чем у неподвижного анода. [23]
Увеличение допустимой мощности рассеяния может быть достигнуто путем перехода от цилиндрической формы деталей к плоской, что позволяет увеличить мощности нагрузки или резко уменьшить размеры сопротивления данных номиналов. [24]
По допустимой мощности рассеяния выбирается тип лампы или транзистора так, чтобы они были в состоянии обеспечить требуемую выходную мощность, не перегреваясь. [25]
РО - удельная допустимая мощность рассеяния резисторов составляет 1 Вт / см2 площади резистивной пленки. [26]
Для увеличения допустимой мощности рассеяния диода необходимо увеличивать площадь выпрямляющего электрического перехода, что влечет за собой увеличение барьерной емкости. [27]
Стремление увеличить допустимую мощность рассеяния выдвигает два требования к структуре и конструкции мощного транзистора. Первое из них - уменьшение теплового сопротивления и второе-увеличение предельной температуры транзисторной структуры. Определить понятия теплового сопротивления и предельной температуры можно сравнительно просто для маломощных транзисторов или, вернее, для транзисторов, работающих в режиме с невысокой плотностью тока. Для приборов, в которых плотность протекающих токов высока, введение этих понятий затрудняется в связи с тем, что распределение тепловых потоков в таких приборах существенным образом зависит от электрических рабочих режимов. Рассмотрим некоторые вопросы, связанные с представлением о тепловом сопротивлении мощных транзисторов. [28]
В общем виде допустимая мощность рассеяния Р зависит от теплового сопротивления переход - среда. [29]
Во-первых, его допустимая мощность рассеяния ( 4 - 69) должна быть не менее чем по ( 4 - 706), а с учетом ( 4 - 70а) находим Ррас. [30]
Страницы: 1 2 3 4