Cтраница 3
![]() |
Постоянные епроволочные сопротивления. п - типа ВС, б - типа МЛТ. [31] |
В зависимости от допустимой мощности рассеяния их выпускают следующих видов: ВС-025; ВС-05; ВС-1; ВС-2; ВС-5 и ВС-10. Они могут иметь номинальные значения от 27 ом до 10 Мом. [32]
С точки зрения допустимой мощности рассеяния толстопленочная технология лучше тонко пленочной, особенно при использовании подложек из окиси алюминия и бериллия. [33]
Рассмотрим теперь связь допустимой мощности рассеяния а элемент с числом элементов на единицу объема. [34]
Проверяем баллон на допустимую мощность рассеяния. [35]
Увеличение тока ограничивается допустимой мощностью рассеяния. Параметры полупроводниковых стабилитронов зависят от температуры окружающей среды, что заставляет применять в схемах специальные меры для температурной компенсации. [36]
Другой проблемой является повышение допустимой мощности рассеяния полупроводниковых приборов, что трудно осуществить не в ущерб быстродействию этих приборов. Проблема отвода теплоты характерна не только для мощных выпрямительных диодов, транзисторов, генераторов Ганна, полупроводниковых лазеров и других дискретных полупроводниковых приборов, но и для интегральных микросхем. [37]
Транзисторы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 300 мет. Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у этих транзисторов осуществляется вдоль тонкой германиевой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Внешний вид их показан на рис. И. [38]
Транзисторы средней мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе от 0 3 до 3 вт. [39]
Выходная мощность варактора ограничена допустимой мощностью рассеяния Яр. [40]
Такие трубки изготавливаются с допустимой мощностью рассеяния на аноде до 50 кет. Вращение анода трубки производится при помощи электродвигателя. Для повышения допустимой нагрузки иногда трубки помещают в масло для охлаждения. Трубку в этом случае помещают либо в одном масляном баке вместе с высоковольтным трансформатором, либо в отдельном кожухе. Такая конструкция позволяет сократить размеры трубки. [42]
Минимальное рабочее напряжение ограничивается допустимой мощностью рассеяния светодиода. Оно в основном зависит от контактной разности потенциалов - - перехода и сопротивления базы. Указанные напряжения определяют и соответствующие токи светодиода. [43]
Изредка возникает вопрос о допустимых мощностях рассеяния для катушек индуктивности или, более конкретно, о допустимых гоках. Чаще всего необходимо располагать такими сведениями в тех случаях, когда через катушку индуктивности пропускается не только переменный ток, но и постоянный, служащий для подмаг-ничивания совместно включенных измеряемых объектов. [44]
Вследствие малой площади перехода снижается допустимая мощность рассеяния. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. Поскольку площадь перехода мала, то мал и обратный ток / обр. Однако при незначительных увеличениях обратного напряжения обратный ток существенно возрастает за счет тока утечки а также повышения температуры перехода. В области характеристики, которая предшествует пробою, заметен эффект размножения носителей за счет ударной ионизации. В области пробоя характеристика имеет участок с отрицательным сопротивлением, практическое использование которого нецелесообразно. Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные диоды. [45]