Максимальная мощность - рассеяние
Cтраница 1
 |
Структура полевых транзисторов с управляющим. [1] |
Максимальная мощность рассеяния на полевом транзисторе для маломощных приборов не превышает 200 мВт, а для мощных 10 Вт. [2]
Максимальная мощность рассеяния - мощность, при которой терморезистор, находящийся в жидком азоте при температуре - 195 6 С, разогревается током до - 173 С. [3]
Максимальная мощность рассеяния - это мощность, при которой терморезистор, находящийся в спокойном воздухе при температуре - J96 C, разогревается током до 70 С. [4]
 |
Построение линии нагрузки для симметричного триггера с анодно-сеточными связями. / - кривая максимально допускаемой мощности рассеяния на аноде. 2 - линия нагрузки для сопротивления 22 ком. [5] |
Максимальная мощность рассеяния на аноде для одной половины лампы 12AV7 составляет 2 75 вт. На анодных характеристиках построена кривая максимально допускаемой мощности рассеяния на аноде по точкам пересечений, соответствующим значениям анодного напряжения и тока. Линия нагрузки должна пересечь характеристику, соответствующую нулевому сеточному напряжению, ниже кривой максимально допускаемой мощности рассеяния на аноде и слева от вертикальной линии, соответствующей анодному напряжению 150 в. [6]
Максимальная мощность рассеяния Рмакс - значение мощности тока, разогревающего терморезистор, находящийся при / окр - 20 1 С, до максимально допускаемой для него температуры. [7]
Максимальная мощность рассеяния Ршшс - наибольшая мощность, которую в течение срока службы ( наработки) может рассеивать терморезистор, не вызывая необратимых изменений параметров, при этом его температура не должна превышать максимально допустимую. [8]
Максимальная мощность рассеяния анода отах характеризует способность анода отдавать внешней среде теплэ, выделяемое в нем вследствие бомбардировки электронами. [9]
Максимальная мощность рассеяния кремниевых диодов составляет от 0 2 до 0 5 вт в зависимости от площади перехода и величины теплоотвода. Предельная частота выпрямления лежит в диапазоне от 1 до 20 Мгц в зависимости от емкости электронно-дырочного перехода. [10]
Их максимальная мощность рассеяния равна 30 мет при температуре 25 С, а максимальное коллекторное напряжение составляет 6 в. [11]
 |
Вероятность исправной работы ламп в зависимости от температуры стеклянного баллона. [12] |
При максимальной мощности рассеяния, предусмотренной для каждого полупроводникового прибора, и высокой температуре окружающей среды возрастает температура переходов. [13]
Упражнение 6.4. Чему равна максимальная мощность рассеяния в проходных транзисторах на этой схеме. [14]
Таким образом, при максимальной мощности рассеяния терморезистор при окружающей температуре То нагревается от протекающего через него тока до максимальной температуры. Превышение максимальной мощности, как и температуры, приводит к необратимым изменениям в терморезисторе и выходу его из строя. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5