Максимальная мощность - рассеяние
Cтраница 2
 |
Зависимость коэффициента усиления мощности от режима на частоте 108 Мгц для транзистора 2N1142 ( схема с общей базой.| Временная диаграмма тока. [16] |
Когда возникают эти условия, максимальная мощность рассеяния в схеме с общим эмиттером уменьшается. [17]
 |
Схема для измерения пробойного напряжения эмиттер-база VEBQ.| Схема для измерения максимального напряжения коллектор-эмиттер.| Семейство выходных характеристик при высоких напряжениях. [18] |
Важнейшим параметром мощных транзисторов является максимальная мощность рассеяния. [19]
Ротк), поэтому при определении максимальной мощности рассеяния в тиристоре необходимо в качестве расчетных взять режимы, в которых РОТк будет наибольшей. [20]
 |
Применяемые типы корпусов транзисторов. [21] |
В правом столбце указаны типовые примеры максимальной мощности рассеяния, которых можно достичь при температуре корпуса транзистора 25 С. Эти экстремальные значения на практике обеспечить довольно трудно. [22]
Таким образом, при окружающей температуре Т0 и максимальной мощности рассеяния терморезистор нагревается за счет протекающего через него тока до максимальной температуры. Превышение максимальной мощности, как и температуры, приводит к необратимым изменениям в терморезисторе и выходу его из строя. [23]
Рктах в формуле (7.83) - это среднее значение максимальной мощности рассеяния за период; пиковое значение мощности будет значительно больше. [24]
Они представляют собой семейства кривых, характеризующих зависимость максимальной мощности рассеяния транзисторов различных типов от полной площади поверхности радиатора при различных температурах окружающей среды, - свободно конвектирующей воздух при нормальном давлении. [25]
Рассчитаны на 200 аварийных срабатываний системы теплового контроля при максимальной мощности рассеяния на терморезисторе не более 0 25 am в течение 2 сек. [26]
Эта величина является оптимальной при условии, что не превышается максимальная мощность рассеяния. [27]
Описаны технология изготовления и конструкция мощного креМ ниевого транзистора с максимальной мощностью рассеяния 175 Вт и максимальным током 30 А. Приведены вольт-амперные характеристик ки и предельные параметры. [28]
К предельным режимам тензорезистора относятся: максимально допустимая мощность Pmax - максимальная мощность рассеяния на тензорезисторе, при которой сохраняется заданная надежность; максимально допустимая мощность в свою очередь определяется максимально допустимой температурой Гтах и, следовательно, зависит от материала, теплоотвода, способа крепления и других факторов. [29]
 |
Постоянные непроволочные резисторы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5