Cтраница 3
Помимо того, что происходит сжатие импульса, фазовый набег меняется в поперечном сечении пучка. В результате ширина спектра значительно превышает ширину, вычисленную по (2.3.11) для импульса в отсутствие самофокусировки. [32]
Видно, что я - включают в себя нелинейный фазовый набег, обусловленный действием всех взаимодействующих волн, так как f - безразмерная координата, равная фазовому набегу, который набирается в нелинейной среде толщиной z при действии пространственно однородного поля с интенсивностью / о Здесь т ( т) - нормированное на Т0 время релаксации динамической решетки, записанной волнами i и / за счет rn - го нелинейного механизма, учитывающее распад возбуждений с временем Т 1, их диффузию с константой D, дрейф со скоростью v 1 и, наконец, ослабление решетки за счет бегущей интерференционной картины, создаваемойволна-ми г и / с различающимися частотами со - и со. [33]
![]() |
Типичный пример колебательного поведения модуля собственного значения а в зависимости от эквивалентного числа Френеля для трех последовательных мод. [34] |
Эти моды все же различаются с точки зрения фазового набега за полный проход, т.е. изменение поля вдоль оси г у них может быть разным. [35]
Дю - расстройка относительно резонансной частоты юо, полагая, что фазовые набеги в фотоприемнике и усилителе близки к нулю. [36]
Здесь a - азимут сбыстрой оси пластинки, а - ф - малая величинз избыточного фазового набега. [37]
Добавку к фазе в этом приближении приобретает только слабый сигнальный пучок - она равна фазовому набегу на несмещенной компоненте решетки. [38]
![]() |
Градиентометр первого порядка на основе датчиков МОН автоколебательного и фильтрового типов. [39] |
В качестве фазовращателя часто выступает фотоприемник, поставленный в такой режим по нагрузке, когда его фазовый набег Ф - arctgooRnCnep близок к л / 2, где RH - сопротивление нагрузки Спер - емкость перехода полупроводникового фотодиода. [40]
Из этого условия следует, что с ростом М максимальное значение Rpc достигается при большом значении нелинейного фазового набега, существенно превышающем 2тг, когда невозможно избавиться от конкурирующих нелинейных процессов, например самофокусировки. [41]
![]() |
Отображение действия тонкой линзы на круговой диаграмме. [42] |
Отсюда следует, что угол А 0В равен дополнительному ( по отношению к плоской волне) фазовому набегу за один проход гауссовой волны в резонаторе. Графическое нахождение этого угла может быть использовано для вычисления резонансных частот ( гл. [43]
![]() |
Дисперсионная характеристика плоско-параллельного волновода, нагруженного шлейфами. ( См.. [44] |
При переходе через резонансную частоту характер реактивной нагрузки меняется: из индуктивной она превращается в емкостную и фазовый набег на секции изменяется на величину я. Получившийся нулевой фазовый набег остается постоянным до тех пор пока не будет достигнута следующая полоса прозрачности. В начале этой полосы нагрузки становятся емкостными и соответственно меняются частотные характеристики. Когда эффективная длина шлейфа делается равной А72, снова имеет место резонанс с узлами электрического поля на отверстиях резонаторов и g А. При дальнейшем увеличении частоты нагрузки становятся индуктивными и на частоте, при которой длина шлейфов равняется ЗАУ4, имеет место отсечка. Такая же картина повторяется при всех резонансных значениях длин шлейфов, равных ( mk Я / 2) / 2, где т - положительные целые числа. [45]