Cтраница 2
Концентраты испытуемой и контрольной проб, а также навески эталонов по 40 мг помещают в кратеры графитовых электродов и анализируют в дуге постоянного тока. [16]
Концентраты испытуемой пробы и контрольного опыта, а также навески эталонов по 40 мг набивают в кратеры нижних электродов и анализируют в дуге постоянного тока. [17]
Колпаки стеклянные или эксикаторы с притертыми крышками для хранения электродов с навесками эталонов и проб. [18]
Рассчитывают количество каждого элемента ( в пересчете на окисел), необходимого для приготовления заданной навески эталона. [19]
Если имеется эталон селена с точным содержанием теллура, то одновременно с анализом исследуемых образцов в тех же условиях производят анализ такой же навески эталона. [20]
![]() |
Общий вид термоэлектрических кривых двух веществ. hi и h % - отклонения пера самописца, пропорциональные максимальной разности температур между датчиками. [21] |
Иэт - молекулярный вес эталона; тх и тэт - навески исследуемого вещества и эталона, г; 1 / эт - объем бензола, добавленного к навеске эталона, мл; hST - среднее отклонение пера самописца для эталона ( в мм), пропорциональное разности температур между термодатчиками; V х - объем бензола, добавленного к навеске олигоэфиракрилата, мл; hx - отклонение пера самописца для исследуемого вещества, мм. [22]
Навески эталонов после облучения растворяют в подходящем растворителе и разбавляют в мерной колбе, куда предварительно вносят неактивные соли этого элемента в количестве 10 - 15 мг. [23]
Навески эталонов после облучения растворяют в подходящем растворителе и разбавляют в мерной колбе, куда предварительно вносят неактивные соли этого элемента в количестве 10 - 15 мг. [24]
Концентрат примесей далее поступает на спектральный анализ. Навески эталонов окиси кадмия по 1 мг на каждом электроде фотографируют на одной и той же фотопластинке вместе с обогащенными пробами. Навески эталонов окиси кадмия одинаковы с весом обогащенных концентратов. Верхний электрод затачивают на усеченный конус с площадкой 2 мм. Электроды предварительно обжигают в дуге постоянного тока при 12 а в течение 20 сек. Межэлектродный промежуток 3 мм Спектры возбуждаются в дуге постоянного тока, выходное напряжение 260 в, сила тока дуги 12 а. Спектры фотографируют на спектрографе ИСП-28 при ширине щели 0 02 мм и трехлинзовой системе освещения. Применяются фотопластинки Микро, чувствительностью 32 ед. Определение концентраций примесей в пробах проводят по методу трех эталонов. [25]
Концентрат примесей далее поступает на спектральный анализ. Навески эталонов окиси кадмия по 1 мг на каждом электроде фотографируют на одной и той же фотопластинке вместе с обогащенными пробами. Навески эталонов окиси кадмия одинаковы с весом обогащенных концентратов. Верхний электрод затачивают на усеченный конус с площадкой 2 мм. Электроды предварительно обжигают в дуге постоянного тока при 12 о в течение 20 сек. Спектры возбуждаются в дуге постоянного тока, выходное напряжение 260 в, сила тока дуги 12 а. Спектры фотографируют на спектрографе ИСП-28 при ширине щели 0 02 мм и трехлинзовой системе освещения. Применяются фотопластинки Микро, чувствительностью 32 ед. Определение концентраций примесей в пробах проводят по методу трех эталонов. [26]
Концентрат примесей далее поступает на спектральный анализ. Навески эталонов окиси кадмия по 1 мг на каждом электроде фотографируют на одной и той же фотопластинке вместе с обогащенными пробами. Навески эталонов окиси кадмия одинаковы с весом обогащенных концентратов. Верхний электрод затачивают на усеченный конус с площадкой 2 мм. Электроды предварительно обжигают в дуге постоянного тока при 12 а в течение 20 сек. Межэлектродный промежуток 3 мм Спектры возбуждаются в дуге постоянного тока, выходное напряжение 260 в, сила тока дуги 12 а. Спектры фотографируют на спектрографе ИСП-28 при ширине щели 0 02 мм и трехлинзовой системе освещения. Применяются фотопластинки Микро, чувствительностью 32 ед. Определение концентраций примесей в пробах проводят по методу трех эталонов. [27]
Концентрат примесей далее поступает на спектральный анализ. Навески эталонов окиси кадмия по 1 мг на каждом электроде фотографируют на одной и той же фотопластинке вместе с обогащенными пробами. Навески эталонов окиси кадмия одинаковы с весом обогащенных концентратов. Верхний электрод затачивают на усеченный конус с площадкой 2 мм. Электроды предварительно обжигают в дуге постоянного тока при 12 о в течение 20 сек. Спектры возбуждаются в дуге постоянного тока, выходное напряжение 260 в, сила тока дуги 12 а. Спектры фотографируют на спектрографе ИСП-28 при ширине щели 0 02 мм и трехлинзовой системе освещения. Применяются фотопластинки Микро, чувствительностью 32 ед. Определение концентраций примесей в пробах проводят по методу трех эталонов. [28]
Головной эталон, содержащий по 1 % каждой из определяемых примесей ( в пересчете на металл), готовят тщательным растиранием в агатовой ступке 0 845 г окиси магния, предварительно проверенной на отсутствие определяемых примесей, 14 мг окиси железа, 14 мг окиси кальция, 13 мг окиси меди, 15 мг окиси хрома, 16 мг окиси никеля, 21 мг двуокиси кремния, 26 мг хлористого натрия и 19 мг хлористого калия. Навеску эталона 0 Ю6 г тщательно перемешивают с 7 мг сульфида кадмия и 7 мг хлорида серебра. [29]
В качестве эталонов применяют навески солей фосфора и таллия, содержащие по 0 5 - 1 мг элемента, которые облучают в кварцевых бюксах одновременно с образцом. После растворения облученных навесок эталонов и разбавления до определенного объема отбирают аликвотные части эталонных растворов. [30]