Нагрев - диод
Cтраница 1
Нагрев диодов при монтаже не должен превышать 125 С. [1]
Нагрев диодов при монтаже не должен превышать 4125 С. [2]
При пайке выводов нагрев диода не должен превышать 95 С. [3]
 |
Схема включения диода с нагрузкой и построение линии нагрузки. [4] |
Прямой ток при нагреве диода растет не так сильно, как обратный. Это объясняется тем, что прямей ток возникает главным образом за счет примесной проводимости, а концентрация примесей не зависит от температуры. [5]
 |
Схемы зарядных устройств. [6] |
Это разнесение элементов предотвращает нагрев диода. [7]
Допускается 0 5 мин) нагрев диода до 200 С. [8]
Допускается кратковременный ( в течение 0 5 мин) нагрев диода до 473 К. [9]
Допускается кратковременный ( в течение 0 5 мин) нагрев диода до 200 С. [10]
Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К. [11]
Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К. [12]
Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода; при этом нагрев диода не должен превышать 70 С. [13]
Рассмотрим теперь схему включения диода, в которой для уменьшения тепловых потерь и нагрева диода ток уменьшается до 100 мА при сохранении указанного выше свойства р-п - перехода. В этом случае возникает одна проблема, связанная с тем, что в области малых токов характеристика имеет меньшую крутизну и к тому же является нелинейной. Поэтому лучше использовать р-и-переход транзистора, что подтверждается его вольт-амперной характеристикой. [15]
Страницы: 1 2