Нагрев - диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Нагрев - диод

Cтраница 2


Обычно этими потерями при включении можно пренебречь по сравнению с потерями в проводящем состоянии, однако при повышенной частоте включений они могут привести к заметному нагреву диода.  [16]

17 Вольтамперные характеристики. [17]

Нагрев диода сильно влияет на его характеристику в области прямых токов.  [18]

Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода. При этом нагрев диода не должен превышать 70 С.  [19]

20 Вольтамперные характеристики диффузионных электролюминесцентных р-п переходов в кристаллах карбида кремния разных политипов. [20]

В зависимости от способа получения электронно-дырочного перехода, концентрации введенных примесей и других факторов электрические и оптические характеристики излучающих диодов значительно отличаются друг от друга. Величина пропускаемого через диод тока и яркость свечения ограничиваются нагревом диода и, следовательно, зависят от условий теплоотвода. Абсолютная яркость при нескольких вольтах достигает значений до 100 нт. Для диодов с зеленым свечением при плотности тока 75 мА / см2 получена яркость 120 нт.  [21]

22 Принципиальная схема прибора ВЗ-15. [22]

При этом для предохранения диодов от перегрева паять следует не более 2 - 3 сек паяльником мощностью не более 50 - 60 вт с теплоотводом между корпусом диода и местом пайки. Необходимо строго соблюдать перечисленные требования при пайке диодов, так как малейший нагрев диода вызывает необратимое изменение его характеристик.  [23]

В неявном виде через функцию / ( /) в ней содержится, зависимость порога и мощности генерации от радиационных шумов и нагрева диода.  [24]

Электрический пробои определяет величину Ргаах в диодах из низкоомного материала, так как в них Un9o6 мало. Сумма амплитуды СВЧ-напряжения на р-л-переходе и напряжения постоянного СА1ещения не должна превышать пробивного напряжения. Диоды, изготовленные из высокоомного материала, имеют высокое пробивное напряжение, поэтому Рта ограничивается нагревом диода.  [25]

К наиболее интересным видам полупроводниковых лазеров относятся следующие. Изменение показателя состава х приводит к изменению ширины запрещенной зоны, и поэтому длина волны излучения лежит в области 0 84 мкм Я, - 0 6 мкм. Лазер на основе арсенида галлия с двойным гетеропереходом может работать при комнатной температуре в непрерывном режиме. Лазер такого типа особенно привлекателен как передающий элемент линии связи на основе волоконной оптики. Последний способ особенно прост, поскольку изменение длины волны происходит за счет температурного нагрева диода, вызванного безызлучательными и омическими потерями в материале. Нагрев приводит к изменению показателя преломления полупроводникового материала, что в свою очередь вызывает изменение эффективной длины резонатора прибора. Эффект перестройки частоты вследствие изменения длины резонатора за счет теплового расширения пренебрежимо мал по сравнению с изменениями перестройки длины волны лазера. Непрерывная перестройка частоты одиночной моды под действием этого эффекта составляет величину порядка 2 см 1, пока не произойдет перескок на соседнюю моду. Перескок мод возникает в результате сдвига пиковой частоты в спектре усиления.  [26]



Страницы:      1    2