Лазерный нагрев
Cтраница 1
Лазерный нагрев обеспечивает наибольшую плотность энергии, вкладываемой в материал детали. [1]
 |
Схема ультразвукового паяльника. [2] |
Лазерный нагрев в определенном отношении более универсален, чем электронно-лучевой: световой луч свободно проходит сквозь прозрачные преграды, не требуется электрического контакта с деталью, пайка возможна не только в вакууме, но и на воздухе или в защитной атмосфере. Высокая удельная тепловая мощность лазерного луча способствует испарению с поверхности припоя и основного металла оксидных пленок, что улучшает процесс пайки. [3]
Лазерный нагрев, несомненно, является исключительно перспективным способом нагрева кристаллизуемого вещества, поскольку малая угловая расходимость лазерного луча позволяет вынести источник нагрева за пределы кристаллизационной камеры. Так как энергия передается в зону расплава высококогерентным полем излучения, то для управления пучком можно использовать стандартную оптику. [5]
Лазерный нагрев позволяет создать принципиально новые методы выращивания тугоплавких монокристаллов. Среди них метод, в котором используется различие в величинах коэффициента поглощения расплава и кристалла. Для реализации этого метода можно предварительно вводить в исходное вещество летучую примесь, которая существенно увеличивает коэффициент поглощения. [6]
Лазерный нагрев обычно осуществляется мощными инфракрасными лазерами, но их использование в АВЛИС-технологии ограничено проблемами запыления внутренних поверхностей окон и нерезонансным возбуждением оптических оболочек атомов разделяемого вещества. Неудобство использования высокочастотного нагрева и полого катода проявляется в образовании неселективных ионов и возбуждении атомов. [7]
Лазерный нагрев обеспечивает контролируемое гомогенное зародышеобразование и исключает возможность загрязнения. Размер нанокристаллических частиц уменьшается с ростом интенсивности ( мощности, отнесенной к единице площади) лазерного излучения благодаря повышению температуры и скорости нагрева газов-реагентов. Авторы [41] получили этим методом из газовой смеси силана S1H4 и аммиака NHs нитрид кремния SisN4 с размером частиц 10 - 20 нм. [8]
Лазерный нагрев позволяет испарять любые материалы, в том числе и сплавы с различными парциальными давлениями паров компонентов. Однако при лазерном нагреве возможно разбрызгивание испаряемого материала. Кроме того, должны быть приняты специальные меры предосторожности против попадания испаряемых атомов на вводное окно лазерного луча. [9]
Лазерный нагрев, так же, как и газоразрядный нагрев, используется для концентрации энергии на поверхности графита. Эта энергия используется для термического распыления графита. При этом графитовый образец ( мишень, на которую фокусируется лазерное излучение) помещают в печь для дополнительного нагрева. По мере уменьшения температуры печи качество нанотрубок ухудшается от бездефектных ( при 1200 С), с большим количеством дефектов ( при 900 С) и до полного отсутствия нанотрубок при 200 С. Предполагается, что нанотрубки растут в газовой фазе. [10]
Импульсный лазерный нагрев может существенно уменьшить мертвое время методики. [11]
ХТО с лазерным нагревом ведут в камерах с аммиаком при азотировании. [12]
К получают методами радиационного и лазерного нагрева, электронной и ионной бомбардировки. Объекты высокотемпературной химии, как правило, - неорг. Высокотемпературными процессами являются мн. [13]
В сочетании с лазерным нагревом эти методы позволяют получать давления до 4 - 5 Мбар и темп-ру до 0 3 эВ, что соизмеримо с условиями в центре Земли. [14]
По сравнению с другими источниками лазерный нагрев обладает существенным преимуществом, связанным с возможностью бестигельной кристаллизации. Имеется, однако, специфика, связанная с характером поглощения лазерного излучения кристаллизуемым веществом. Эта специфика обусловлена оптическими свойствами кристаллизуемого вещества. Так как величины коэффициентов поглощения и отражения, а также теплопроводность кристалла и расплава для одного и того же вещества существенно отличаются друг от друга, эффективность воздействия лазерного излучения соответственно меняется. Поэтому при лазерном нагреве необходим строгий учет степени прозрачности расплава и кристалла, особенно в области излучения лазера. [15]
Страницы: 1 2 3 4