Лазерный нагрев
Cтраница 3
Перегрев кристалла может быть достигнут при сильно неравновесном процессе нагрева, например, при мощном лазерном нагреве малоразмерного образца, когда скорость нагрева тела превосходит скорость фазового превращения. [31]
 |
Схема получения монокристалла методом зонной плавки.| Схема получения монокристалла методом бестигельной зонной плавки. [32] |
В качестве нагревателя обычно используется высокочастотный индуктор, хотя в некоторых случаях применяется электроннолучевой или лазерный нагрев. В начале процесса расплавленная зона создается на границе монокристаллическая затравка - поликристаллическая заготовка. При этом затравка частично расплавляется. Далее расплавленная зона начинает двигаться к другому концу заготовки за счет относительного движения контейнера ( заготовки) и индуктора, обеспечивая очистку и рост монокристалла. [33]
Электротермические установки ( ЭТУ) по способу преобразования электроэнергии в теплоту подразделяются на установки нагрева сопротивления, электродугового, индукционного, диэлектрического, электронно-лучевого и лазерного нагрева. [34]
Непосредственно к тепловым методам примыкает метод фотодефлекционной спектроскопии, суть которого в рассеянии пробного излучения на деформациях поверхности поглощающей среды, вызванных неоднородным лазерным нагревом. Обычно стараются сфокусировать пробное излучение на склон выпучивания в область наибольшего наклона поверхности для получения максимального сигнала. [35]
Непосредственно к тепловым методам примыкает метод фотодефлекционной спектроскопии, суть которого в рассеянии пробного излучения на деформациях поверхности поглощающей среды, вызванных неоднородным лазерным нагревом. Обычно стараются сфокусировать пробное излучение на склон выпучивания в область наибольшего наклона поверхности для получения максимального сигнала. [36]
Физический механизм, обусловливающий явление теплового расплывания ( разрушения структуры) лазерного пучка на протяженной трассе с газовым поглощением, заключается в перераспределении плотности воздуха в области лазерного нагрева и возникновении вследствие этого регулярных и случайных газовых линз. [37]
Очевидным упущением является отсутствие в последней главе па раграфа, в котором рассматривались бы системы с релятивист сними электронными пучками в качестве альтернативного вариан та системы с лазерным нагревом плазмы. [38]
Последовательно разобраны главные пути исследования проблемы управляемого синтеза: открытые магнитные ловушки, замкнутые магнитные системы, установки импульсного действия, а также одно из новых направлений - системы с лазерным нагревом плазмы. [39]
 |
Схемы лазерного термоупрочнения. [40] |
Лазерный нагрев характеризуется высокой плотностью мощности в зоне нагрева и применяется прежде всего для локального упрочнения деталей в местах повышенного износа и в труднодоступных полостях. В зависимости от плотности мощности лазерного излучения термическая обработка осуществляется как нагревом до температуры ниже температуры плавления, так и оплавлением поверхности изделия. При этом используются уровни плотности мощности лазерного излучения Е - 10 - 10 Вт / м2, что обеспечивает локальный нагрев металла до температуры плавления без заметного его испарения. Рекомендуется устанавливать плотность мощности для лазерной термообработки Е Е, где Е 109 - 5 1010 ( Вт / м2) - пороговая плотность мощности излучения, выше которой происходит активное расплавление и испарение обрабатываемого материала. [41]
Лазерный нагрев позволяет испарять любые материалы, в том числе и сплавы с различными парциальными давлениями паров компонентов. Однако при лазерном нагреве возможно разбрызгивание испаряемого материала. Кроме того, должны быть приняты специальные меры предосторожности против попадания испаряемых атомов на вводное окно лазерного луча. [42]
При ТК слоистых, композиционных и сотовых изделий, применяющихся главным образом в авиакосмической технике, наиболее популярны оптические способы нагрева, которые реализуют с помощью: 1) лазеров; 2) импульсных ламп; 3) галогенных ламп непрерывного действия; 4) стандартных электрических ламп накаливания. Высокую плотность мощности лазерного нагрева получают в зонах малого размера, поэтому такой способ плохо сочетается с тешвдви-зионной регистрацией температуры. При использовании техники летающего пятна мощность лазерного излучения размазывается по большой площади, снижая среднюю подводимую мощности. [43]
В [17] проведены оценки влияния ВТР на нелинейное ушире-ние излучений импульсных лазеров в атмосфере с газовым поглощением. За счет изменения поглощения вследствие лазерного нагрева возможно усиление затравочного излучения, распространяющегося под углом 6 к волне накачки. [44]
В случае метода Вер-нейля возможны два варианта конструктивных решений. На рис. 102 представлен общий вид кристаллизационной установки с лазерным нагревом. [45]
Страницы: 1 2 3 4