S-тип
Cтраница 2
 |
Типы вольт-амперных характеристик. [16] |
Рассмотрим в качестве примера характеристику S-типа. [17]
Такое поведение было названо поведением S-типа. Если рассматривать это поведение как эффект легирования Т12Те теллуром, то большинство избыточных атомов Те должны быть электронейтральными. Небольшая, сильно зависящая от температуры часть избыточных атомов Те находится в виде ионов. Поскольку S положительна, перенос осуществляется дырками, а ионы должны быть отрицательны. Избыточные атомы Те, соединяясь с Т12Те, образуют цепные молекулы типа Т1 - Теп - Т1, а некоторые из связей Те-Те термически диссоциируют, образуя фрагменты типа Т1 - Те плюс дырки в валентной зоне. [18]
 |
Схема генератора на однопереходном транзисторе с частотой колебаний, зависящей от освещения. [19] |
Применение полупроводниковых фотоприемников с вольт-амперной характеристикой S-типа в оптронах позволяет значительно расширить возможности оптоэлектроники. [20]
Когда объемная волна Р - или S-типа натыкается на границу слоев с разной упругостью, в общем случае могут возникнуть отраженные и преломленные Р - и 5-волны. В частных случаях имеется - возможность исчезновения какой-нибудь из результирующих волн либо вследствие полного внутреннего отражения, либо благодаря природе падающей волны, и тогда падающая волна может превратиться в один из четырех различных типов волн. Однако если Р - волна падает по нормали к границе, она не может породить каких-либо компонент напряжений вдоль этой границы и, таким образом, не может трансформироваться в 5-волну. Подобно этому, если плоскость колебаний в S-волнах параллельна плоскости границы, она не может возбудить движений, нормальных к ней. [21]
Z-Элемент представляет собой / т-и-структуру с вольт-амперной характеристикой S-типа. Z-элемент может работать в двух режимах: генераторном и принужденном. Преобразование первого режима во второй осуществляется увеличением тока, протекающего через Z-элемент. Очевидно, что преимуществом генераторного режима является возможность измерения малых значений внешних воздействий. Однако в этом случае диапазон рабочих токов мал, что ограничивает диапазон внешних воздействий. В принужденном режиме значения внешних воздействий превышают некоторое пороговое значение, которое вызывает колебания в Z-элементе. Это значение может быть существенно уменьшено посредством использования двух воздействий, одно из которых вызывает колебания выходного сигнала, а второе управляет их частотой. Разработаны кремниевые Z-элементы, отличающиеся концентрацией примесей и геометрическими размерами, изменяющимися от 1 х 1 х 0 3 мм до 5 х 1 х 0 3 мм. С возрастанием напряженности магнитного поля увеличивается частота выходного сигнала /, являющаяся также функцией нескольких величин: времени жизни носителей и их мобильности, концентрации примесей, тока и размеров элемента. Напряжение источника питания для Z-элемента составляет 3 - 70 В, ток 1 - 5 мА, амплитуда выходного сигнала составляет 1 - 15 В. [22]
Таким образом, в полупроводнике с вольт-амперной характеристикой S-типа ток по сечению распределен неравномерно. Происходит как бы образование шнуров с большей плотностью тока, чем в остальном сечении. Это явление характерно для всех приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа, независимо от физического механизма их работы. Образование шнуров приводит к неполному использованию площади прибора и к наличию гистерезиса на вольт-амперной характеристике. Поскольку предпочтительным местом для образования шнуров являются места, в которых по различным технологическим причинам концентрация носителей оказалась повышенной, то одним из методов уменьшения шнурования тока является использование материалов, более однородных по объему. [23]
В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным сопротивлением S-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая естественно распространяется и за пределы области между электродами данного прибора и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей: в прилегающих участках полупроводника. [24]
 |
Нелинейная рефракция волны [ IMAGE ] К расчету саморефракции. [25] |
Отдельного упоминания заслуживают локализованные на цилиндрическом фронте возмущения S-типа. [26]
Итак, обязательным условием возникновения отрицательного сопротивления ( ВАХ S-типа) в диодах на полуизоляторах является существование дополнительного, сопровождающего инжекцию механизма возрастания проводимости базовой области. В полуизоляторе при инжекции должны протекать такие физические процессы, которые приводят либо к увеличению глубины проникновения инжектированных носителей, либо к дополнительному увеличению их концентрации или подвижности в каждой точке, либо к увеличению доли инжектированных носителей в общем токе р - - перехода. Поэтому для понимания природы отрицательного сопротивления необходимо рассмотреть именно эти, дополнительные к инжекции, физические явления. [27]
Как следует из изложенного выше, для образования вольт-амперной характеристики S-типа в общем случае необходимо, чтобы ток через р - - р - - структуру увеличивался с ростом напряжения и 21Б1 и 21Б2 увеличивались с током. [28]
При обсуждении электропроводности а были выделены области М - типа и S-типа, в которых температурная зависимость электропроводности является соответственно слабой и сильной. Для всех сплавов, для которых имеются результаты, достаточно - определенные, чтобы установить характер температурной зависимости электропроводности, 5 имеет такую же чувствительность к температуре, как и а, за исключением, возможно, составов, при которых 5 изменяет знак. [29]
Выходная вольтамперная характеристика, как и в других тиристорах, является характеристикой S-типа. Реактивность прибора на выходных клеммах имеет индуктивный характер. Управление может осуществляться как по первой, так и по второй базе. [30]
Страницы: 1 2 3 4