S-тип

Cтраница 4

Если по вертикальной оси откладывать не напряжение, а ток, а по горизонтальной оси - напряжение ( как это часто делают), то кривая зависимости г от U будет подобна букве 5, и поэтому характеристики такого типа называют характеристиками S-типа. [46]

Напряжение и ток в начале участка с отрицательным сопротивлением ( с увеличением / или V от нуля) будем называть напряжением и током срыва ( F0p, / cp) - Напряжение и ток в конце участка с отрицательным сопротивлением будем называть остаточным напряжением и током ( V0CT, / 0Ст) - В приборах с вольт-амперной характеристикой S-типа напряжение срыва часто также называется и напряжением включения или переключения. [47]

Это обычно интерпретируется в терминах высокой прочности связи ( низкие VА, а, РА), объясняющейся значительным взаимодействием между электронами d - оболочек ионов переходных металлов и металлов группы IB по сравнению со связью в щелочных металлах ( высокие VА, а, РА), в которых ионы удалены и в которых есть лишь валентные электроны S-типа. [48]

Конечно, это не значит, что в проводниках с отрицательным дифференциальным сопротивлением не происходит выделения ( а имеется, наоборот, ПОГЛО - рис 303 Вольт-амперная харак-щение) тепла Джоуля Ленца. S-типа Тепловой эффект тока определяется не дифференциальным, а полным сопротивлением проводника U / i, которое всегда положительно. [49]

Волны S-типа при е 0 являются собственными комплексными. [50]

При г-типе связи атом водорода заряжен отрицательно и расположен над поверхностным атомом металла на расстоянии 0 25 нм; при S-типе атом водорода заряжен положительно и находится между ионами металла на глубине 0 05 нм. При адсорбции S-типа водород ведет себя, подобно растворенному водороду в решетке металла. Большое влияние на проникновение водорода в металл оказывают стимуляторы или промоторы наводороживания. Только гидриды перечисленных элементов проявляют катализирующее действие. Катализирующее действие гидридов может достигаться за счет торможения рекомбинации или в результате облегчения разряда: в обоих случаях растет степень заполнения поверхности адсорбированными атомами водорода. [51]

Участок ОС на ВАХ диода может образоваться только при наличии внутренней положительной обратной связи. Для диода с ВАХ S-типа это должна быть положительная обратная связь по току. Это означает, что любое изменение тока должно вызывать дальнейшее изменение тока в том же направлении. [52]

Зависимость биполярной. [53]

Если бы концентрация стверхлинеино росла с током начиная от / 0, то вольт-амнерная характеристика не имела бы участков с отрицательным сопротивлением. Следовательно, для образования вольт-амперной характеристики S-типа необходимо уменьшить ин-жекцию носителей заряда при малых токах через диод. [54]

В настоящее время при построении импульсных и цифровых устройств находят применение различные полупроводниковые приборы, имеющие участок вольт-амперной характеристики с отрицательным сопротивлением. Соответственно и приборы называют приборами Af-типа и S-типа. В приборах УУ-типа при изменении тока, протекающего через прибор, в пределах / х i iz каждому значению тока соответствует три различных значения напряжения на приборе. [55]

Потенциомет-рическое титрование. [56]

На рис. 13.5 а схематически изображена установка для потенцией метрического титрования. Зависимость потенциала ячейки от объема титранта изображается кривой S-типа; точка перегиба кривой соответствует точке эквивалентности. [57]

Двойная инжекция наблюдается в симметричных или близких к ним структурах. При этом структура обладает вольт-амперной характеристикой N - или S-типа. На основе структур с ТОПЗ могут быть построены различные пленочные элементы, в том числе и активные, выполняющие U разные функции. [58]

Рассмотренная неустойчивость протекания тока в диоде Ганна называется доменной. Так же, как шнурование тока типично для приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа, образование доменов характерно для полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой N-типа. В этом случае диод Ганна ведет себя как обычный прибор с отрицательным сопротивлением. Такие диоды могут использоваться для усиления сверхвысокочастотных сигналов. [59]

Страницы: 1 2 3 4