Амплитуда - импульс - ток
Cтраница 2
Амплитуду импульса тока / тах регулируют либо изменением сопротивления резистора R2, либо изменением напряжения источника ея. Величина тока / тах должна быть равна двойному номинальному току тиристора. [16]
Амплитуде импульса тока 16 - 18 кА соответствует глубина зоны термического влияния 0 5 - 0 6 мм, 14 - 16 кА - 0 4 - 0 5 мм. [17]
Измерение амплитуды импульсов тока может быть также произведено путем измерения амплитуды падения напряжения, вызываемого этим током, на известном активном сопротивлении с помощью импульсного вольтметра. [18]
 |
Вольт-амперная ха - [ IMAGE ] Предельно допус-рактеристика управляющего тимые характеристики цепи электрода. управления. [19] |
Уменьшение амплитуды импульсов тока трапеце идальной формы с ростом скорости нарастания тока и частоты ( см. рис. 10.24) обусловлено теми же факторами. С ростом скорости нарастания тока в открытом состоянии возрастает плотность тока через начальную включенную область и, следовательно, увеличиваются коммутационные потери при включении. [20]
Регистрируя амплитуду импульса тока в виде функции от линейно изменяющегося напряжения Е, как и в случае квадратно-волновой полярографии, получаем производную полярограмму. [22]
Находим амплитуду импульса тока эмиттера / i О. [23]
Диапазон изменения амплитуд импульсов тока весьма широк для всех разновидностей эрозионной обработки. В ряде случаев, особенно в электроимпульсных станках, регулирование режимов осуществляется изменением амплитуды импульсов, поэтому в каждой установке в зависимости от ее назначения имеется возможность изменять амплитуду в широких пределах. Крайние границы диапазона изменяются от десятых долей ампера до десятков тысяч ампер. [24]
Крутизна фронта и амплитуда импульса тока управления могут влиять на характер процесса формирования начальной зоны включения р-л-р-л - структуры. Для высокочастотных схем, где тиристоры работают со значительной скоростью нарастания анодного тока, с целью формирования большей начальной зоны включения для обычного типа управляющего электрода рекомендуется обеспечивать большие значения / у и diyjdt. Благодаря особой конструкции управляющего электрода в подобных тиристорах формируется значительно большая начальная зона включения. [25]
Если ф 0, амплитуда импульсов тока первой лампы увеличивается, второй - уменьшается. [26]
Однако при некотором значении амплитуды импульса тока / G тиристор включается практически равномерно вдоль всей границы управляющего электрода. [27]
 |
Точка коммутации четырехпро-водного ферридового соединителя с ферроэластовыми потокоподводами. [28] |
Применение ферроэластовых потокоподводов позволяет уменьшить амплитуды импульсов тока, необходимых для срабатывания и отпускания точек коммутации на 20 - 25 %, при длительности импульса 300 мкс. [29]
 |
Ферритовяя память со считыванием полным током и записью по совпадению токов.| Ферритовая память со считыванием и записью полными токами. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5