Cтраница 3
Разрушение магнитного состояния зависит от амплитуды импульсов токов, их длительности и количества, а также от прямоуголь-ности петли гистерезиса. Помеха от полувозбужденных сердечников, возникающая при считывании из-за нопрямоугольности петли гистерезиса, при большой емкости может превысить полезный сигнал. Амплитуда помехи существенно зависит от хранящейся информации. [31]
![]() |
Форритоппя память со считыванием полным током и записью по совпадению токов. [32] |
Разрушение магнитного состояния зависит от амплитуды импульсов токов, их длительности и количества, а также от прямоуголь-ностц петли гистерезиса. Помеха от иолувоз-буждешшх сердечников, возникающая при считывании из-за непрямоуголыгости петли гистерезиса, при большой емкости может превысить полезный сигнал. Амплитуда помехи существенно зависит от хранящейся информации. [33]
![]() |
Экспериментальная ( - - - - - - - - и рас - [ IMAGE ] 8. Схема для. [34] |
Значения начального тока прибора и амплитуда импульса тока анода выбирались в соответствии с [3], стой лишь разницей, что для обеспечения режима большого сигнала внутри проводящего канала величина тока определялась, исходя из типичных значений начальной площади активной зоны. [35]
Это означает, что увеличение амплитуды импульсов тока управления позволяет сократить их длительность. [36]
![]() |
Схема малогабаритного импульсного генератора накачки ОКГ. [37] |
Изменение напряжения U влияет на амплитуду импульсов тока и частоту повторения импульсов. Время нарастания импульса излучения равно примерно 15 нсек. [38]
ГТ - генератор модулированных по амплитуде импульсов тока ( частота следования импульсов Ри 50 кгц, частота модуляции 2 кгц); ЯД - испытываемый диод; Як - калибровочный резистор; ФНЧ - фильтр нижних частот; СУ - селективный усилитель. [39]
![]() |
Частотные характеристики стробоскопического преобразователя при полигональной аппроксимации характеристики диода. а - амплитудно-частотная. б - фаэо-частотная. [40] |
Однако с повышением этого уровня уменьшается амплитуда импульса тока через диод, и при некоторой ее величине аппроксимация характеристики диода полигональной функцией становится непригодной. [41]
Переменным резистором R7 регулируют при настройке амплитуду импульсов тока. Терморезистор R3 компенсирует температурную погрешность прибора. Стабилитрон VD3 обеспечивает стабилизацию напряжения питания прибора. [42]
Переменным резистором R7 регулируют при настройке амплитуду импульсов тока. Терморезистор R3 компенсирует температурную погрешность прибора. Стабилитрон VD3 обеспечивает стабилизацию напряжения питания прибора. [43]
![]() |
Зависимость di / dt - стойкости тиристора от амплитуды импульса тока управляющего электрода.| Зависимость анодного напряжения от времени при различных токах / с. [44] |
С ростом исходного значения анодного напряжения и амплитуды импульсов тока di / dt - стоккостъ тиристоров уменьшается. Это обусловлено ростом коммутационных потерь во включенной области ти-ристора с повышением напряжения и тока. Приближенно можно считать, что допустимая скорость нарастания тока обратно пропорциональна исходному значению анодного напряжения и амплитуде импульса тока. [45]