Амплитуда - переменное поле
Cтраница 1
 |
Схема уровней энергии РП. Стрелками показаны разрешенные ЭПР переходы. [1] |
Амплитуда переменного поля сравнительно мала, поэтому в последнем выражении можно пренебречь различием g - факторов РП. [2]
Выясним сначала, чем определяется амплитуда переменного поля, создаваемого ядрами на электронах. [3]
Вероятности переходов р увеличиваются с ростом амплитуды переменного поля, и соответственно увеличивается интенсивность поглощения энергии. Однако это справедливо лишь до тех пор, пока можно считать 6п неизменным. Если частота переходов под влиянием переменного поля станет сравнимой или большей, чем частота переходов за счет релаксационных процессов, то значение разности чисел заполнения 5п п - п - начнет падать за счет переброса спинов на верхний уровень. Это явление называется насыщением поглощения. [4]
Представляют интерес зависимость тангенса угла потерь и проницаемости от частоты и от амплитуды переменного поля, зависимость обратимой проницаемости от напряженности подмагничи-вающего поля и различные температурные зависимости. [5]
Интерес представляют зависимости тангенса утла потерь и проницаемости от частоты и от амплитуды переменного поля, а также зависимость обратимой проницаемости от напряженности подмагничиваю-щего поля и различного рода температурные зависимости. [6]
Интерес представляют зависимости тангенса угла потерь и проницаемости от частоты и от амплитуды переменного поля, а также зависимость обратимой проницаемости от напряженности подмагничивающего поля и различного рода температурные зависимости. [7]
Нг и ш ( / / - амплитуда постоянного поля; Нг - амплитуда переменного поля; ш - частота переменного поля) изменение коэффициентов переноса приобретает резонансный характер и зависит от вида несферической части оператора столкновений молекул. [8]
 |
Зависимость глубины проникновения магнитного поля в см от частоты. [9] |
При этом под глубиной проникновения погашается такое расстояние от поверхности, на котором амплитуда магнитного переменного поля уменьшается в е раз. [10]
На рис. 2 показана полученная зависимость остаточного намагничивания в постоянном поле неизменной величины от амплитуды дополнительного переменного поля. Параметрами кривых служит величина намагничивающего поля Я. [12]
 |
Зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлект-риков от напряженности по. [13] |
С ростом частоты переменного поля / С уменьшается ввиду снижения етах и на высоких частотах не зависит от амплитуды переменного поля. [14]
Динамическая петля гистерезиса - кривая, образованная вершинами частных петель перемагничивания магнитного гистерезиса при последовательном уменьшении или увеличении амплитуды переменного поля. [15]
Страницы: 1 2 3