Наклон - вольт-амперная характеристика
Cтраница 1
Наклон вольт-амперной характеристики зависит от подвижности отрицательных ионов и величины коэффициента рекомбинации. [1]
Наклон вольт-амперной характеристики двухполюсника рис. 10.10 з определяется величиной гэкв. [2]
 |
Исследование нелинейной цепи при параллельном соединении. [3] |
От чего зависит наклон вольт-амперной характеристики. [4]
Сопротивление гэд характеризует наклон вольт-амперной характеристики эмиттерного диода Дэ эквивалентной схемы рис. 1 - 6 при малых напряжениях на этом диоде. [5]
При U i / 2 наклон вольт-амперной характеристики рис. 10.9 а опять изменяется. [6]
Это сопротивление пропорционально тангенсу угла наклона вольт-амперной характеристики и постоянно в пределах линейного участка этой характеристики. [7]
Сопротивление цепи возбуждения, при котором наклон вольт-амперной характеристики и наклон начальной части характеристики холостого хода одинаковы, называется критическим гкр ( вольт-амперная характеристика при гв гкр на рис. 4.2, б показана прямой 5), а угол наклона, соответствующий этому сопротивлению, акр. [8]
 |
Генератор параллельного возбуждения. [9] |
Сопротивление цепи возбуждения, при котором углы наклона вольт-амперной характеристики и начальной части характеристики холостого хода к оси абсцисс одинаковы, называется критическим гур ( вольт-амперная характеристика при гвгкр на рис. 4.2 6 - - прямая 5), а угол наклона, соответствующий этому сопротивлению, - акр. [10]
Изменяя число витков подмагничивающей обмотки, можно регулировать наклон вольт-амперной характеристики генератора. [11]
Применение более сложной мостовой схемы позволяет скомпенсировать влияние наклона вольт-амперной характеристики на рабочем участке, на чем мы не будем останавливаться. [12]
 |
Линеаризованная характеристика стабилитрона ( а и его схема замещения ( б.| Схема простейшего стабилизатора напряжения ( а и его схема замещения ( б 2 35. [13] |
Дифференциальное сопротивление стабилитрона - это параметр, который характеризует наклон вольт-амперной характеристики в области пробоя. [14]
Сопротивление гкд имеет вполне определенный физический смысл и характеризует наклон вольт-амперной характеристики коллекторного диода Дк эквивалентной схемы идеализированной диффузионной модели транзистора рис. 1 - 6 при малых напряжениях на этом диоде. [15]
Страницы: 1 2 3