Cтраница 2
Зоз и может быть заранее предопределен при графическом построении путем соответствующего наклона вольт-амперной характеристики контура самовозбуждения. [16]
Трансформаторная схема стабилизатора ( а и ее вольт-амперная характеристика ( б.| Разновидности схем стабилизаторов на магии - - тонасыщенном дросселе. [17] |
Действительно, если выбрать коэффициент трансформации ненасыщенного трансформатора так, чтобы угол наклона его вольт-амперной характеристики был равен углу наклона вольт-амперной характеристики насыщенного трансформатора, то колебания напряжения в рабочей зоне будут значительно меньше. [18]
При напряжении менее / В полевой транзистор ведет себя скоре как управляемый напряжением резистор, а не источник тока, т.е. наклон вольт-амперной характеристики зависит от напряжения затвор-источник. Это линейная область характеристики, которая применяется в системах с автоматическим управлением коэффициентом усиления и при модуляции. [19]
При расчете описанным выше методом неизбежна некоторая погрешность, которая обусловлена принятыми допущениями о постоянстве коэффициента рассеяния и о том, что наклон вольт-амперной характеристики к оси напряжений объясняется исключительно внутренним разогревом диода. [20]
В основу устройства для регулирования плотности тока, предложенного Л. К. Яшунским, Н. И. Левиной, В. П. Лабутиным и Л. К. Борисенко, положен принцип автоматического регулирования ( рис. 5 - 13) напряжения в зависимости от нагрузки ванны по закону прямой, тангенс угла наклона которой максимально приближается к наклону вольт-амперной характеристики ванны, имеющей почти прямой характер. [21]
Наклон вольт-амперной характеристики определяется сопротивлением мембраны. С усилением деполяризующего тока частота пеисмекерных потенциалов возрастает. С усилением гиперполяризующего тока частота пеисмекерных потенциалов снижается. [22]
Модельная схема для расчета гистере-зисных потерь. [23] |
Таким образом, электрические потери в переменном магнитном поле в сверхпроводниках являются обычными омическими потерями. Поскольку наклон вольт-амперных характеристик в области течения потока обычно довольно крутой, приближенно можно считать, что плотность тока в сверхпроводниках остается постоянной и равной критическому значению / с - В этом случае мощность тепловыделения в единице объема сверхпроводника равна EJC. На микроскопическом языке потери в сверхпроводниках II рода - представляют собой результат вязкого течения квантованных вихревых нитей или флюксоидов. На первый взгляд эти два подхода могут показаться различными, однако на самом деле они полностью эквивалентны друг другу, и расчеты потерь с помощью любой из этих - моделей дают идентичные результаты. [24]
Схема ЛПД типа p - i - n и распределение напряженности поля по структуре. [25] |
При напряжении на диоде, превышающем t / np, ток резко возрастает и при дальнейшем увеличении напряжения растет почти линейно. При этом наклон вольт-амперной характеристики сохраняется везде положительным вплоть до теплового пробоя, который и ограничивает величину постоянного тока диода. [26]
Линейная зависимость возрастания величины тока от напряжения сохраняется при различных температурах и мощности поглощенной дозы излучения. Тангенс угла наклона вольт-амперных характеристик зависит от природы, структуры и чистоты полимера, причем с повышением температуры и мощности дозы наклон вольт-амперных характеристик увеличивается. [27]
Эти значения для реальных диодов и нелинейных сопротивлений, как правило, в справочниках не приводятся. Поэтому Ry находят либо по наклону вольт-амперной характеристики, что удается сделать с довольно большими погрешностями, либо с помощью специальной схемы измерения дифференциальных параметров. [28]
Рассмотренные модуляционные свойства трехлучевого масочного кинескопа позволяют так подобрать постоянные напряжения на всех его модуляторах, чтобы при наличии видеосигналов, подведенных к его катодам, запирание трех лучей происходило одновременно в момент времени, когда передается уровень черного. Вместе с тем подбором напряжений на ускоряющих электродах добиваются требуемой крутизны наклона вольт-амперных характеристик каждого луча. Первое условие исключает паразитную окраску темных элементов изображения, а второе - светлых. [29]
Здесь RH - омическое сопротивление области истока; 1 / gc - внутреннее сопротивление прибора, обусловленное конечным наклоном вольт-амперных характеристик в области перекрытия. [30]