Накопление - заряд
Cтраница 1
Накопление зарядов уже не происходит, и система при малых значениях диэлектрической проницаемости, вытекающих из значений диэлектрической проницаемости для ее составляющих, обладает большой электропроводностью. [1]
 |
Диаграмма обработки про. [2] |
Накопление заряда происходит от регулирующего устройства при смещении потенциала протектора от нижнего до верхнего предела зоны регулирования. [3]
 |
Линейка из МОП-конденсаторов ( а. диаграммы потенциалов для различных моментов времени ( б - г и временные диаграммы ( д. [4] |
Накопление заряда в потенциальной яме происходит и при отсутствии освещения за счет тепловой генерации неосновных носителей. В зависимости от температуры и свойств материалов МОП-конденсатора максимальный заряд в ячейке под действием тепловых процессов может образоваться за время от сотых долей до единиц секунд. В реальных приборах при комнатной температуре обычно его устанавливают равным единицам - десяткам килогерц. [5]
Накопление заряда происходит в переходе и в базе диода, в соответствии с этим различают две составляющие емкости диода Сд - барьерную С6 и диффузионную Сдф. [6]
Накопление заряда на том или ином предмете возможно только в том случае, когда он хорошо изолирован от окружающих предметов. Во влажную погоду изолятор может стать проводником из-за гигроскопичности имеющихся на его поверхности загрязнений и поглощения влаги из воздуха, который позволяет заряду утекать с него по мере накопления. Этим объясняются иногда отказы автомобильного зажигания в сырую погоду. [7]
Накопление заряда на мишени происходит в течение некоторого времени. Длительность этого процесса, приводящего к установлению равновесного потенциала мишени, зависит от разности между начальным и равновесным потенциалом, величины емкости заряжаемого элемента мишени относительно других электродов, величины тока луча. Чем больше ток луча, тем быстрее происходит накопление заряда. Если луч воздействует на мишень кратковременно, то возможно только некоторое смещение потенциала элемента мишени в сторону равновесного. Поэтому если луч не неподвижен, а развертывается по мишени, то по всей трассе его движения происходит смещение потенциала, который может достигать равновесного только при достаточно большой плотности тока первичных электронов, зависящей от величины тока луча, размеров электронного пятна на мишени и скорости его перемещения. Чем больше ток луча, лучше его фокусировка и меньше скорость, тем ближе к равновесному смещаются потенциалы участков мишени, лежащих по трассе луча. [8]
Накопление зарядов создает разность потенциалов относительно земли, которая может достигать десятков киловольт. [9]
 |
Распределение и плотность зарядов статического электричества при производстве рукавной полиэтиленовой пленки. [10] |
Накопление зарядов происходит особенно интенсивно при высоких скоростях движения пленки, но плотность зарядов при этом изменяется сравнительно мало - примерно на 10 % при увеличении скорости от 22 до 28 м / мин. [11]
Накопление заряда за время посылки образуется на ячейке, состоящей из емкости и сопротивления, включенных последовательно. [12]
 |
Диэлектрик, помещенный между дисками А и В, увеличивает их электроемкость. [13] |
Накопление зарядов на обкладках конденсатора называется его зарядкой. Нейтрализация зарядов конденсатора при соединении его обкладок проводником называется разрядкой, Количество электричества q, которое переходит с одной обкладки на другую в процессе разрядки конденсатора, называется его зарядом. Этот заряд q равен количеству электричества, находящегося на одной из обкладок заряженного конденсатора. Он прямо пропорционален напряжению U между обкладками конденсатора. [14]
Накопление зарядов на обкладках конденсатора называется его зарядкой. Нейтрализация зарядов конденсатора при соединении его обкладок проводником называется разрядкой. Количество электричества q, которое переходит с одной обкладки на другую в процессе разрядки конденсатора, называется его зарядом. Этот заряд q равен количеству электричества, находящегося на одной из обкладок заряженного конденсатора. Он прямо пропорционален напряжению U между обкладками конденсатора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5