Накопление - заряд
Cтраница 2
Накопление зарядов на обкладках называется зарядкой конденсатора. Нейтрализация зарядов конденсатора при соединении его обкладок проводником называется разрядкой. [16]
 |
Схема ЗЭ ППЗУ с электрической записью и стиранием информации ( а. структура транзистора МНОП-типа ( б и характеристика ЗЭ на транзисторе МНОП-типа ( в. [17] |
Накопление заряда можно объяснить различной плотностью тока в нитриде и окиси кремния в момент приложения к затвору 3 напряжения, которое первоначально разделится между слоями в соответствии с их диэлектрическими постоянными. На границе между диэлектриками возникает заряд, который зависит от толщины диэлектрических слоев, а также амплитуды и длительности импульса напряжения. Сохранение заряда определяется ловушками на границе диэлектрических слоев. На рис. 6.21, в представлены характеристики ( см. [66]) типичного ЗЭ на транзисторе МНОП-типа, снятые при постоянном напряжении смещения Uc - ЮВ. [18]
 |
Схема электродной зарядки. [19] |
Накопление заряда q i приводит к локальному усилению напряженности поля Ек в диэлектрике. [20]
Накопление зарядов одного знака связано с асимметрией образца. В симметричном образце ( две одинаковые лунки друг против друга) накапливались бы заряды разных рядов и суммарный заряд q равнялся бы нулю. [21]
 |
Рассасывание носителей в базе. [22] |
Накопление коллекторного заряда происходит в течение того времени, когда граничная концентрация р ( а. [23]
Поскольку накопление заряда связано с диффузией неосновных носителей, эту емкость называют диффузионной. [24]
 |
Упрощенная эквивалентная схема транзистора ИМС для малого переменного сигнала.| Включение биполярного транзистора по схеме с общей базой. [25] |
Эффекты накопления зарядов в транзисторе можно моделировать путем введения следующих емкостей: двух нелинейных барьерных емкостей p - n - переходов, двух нелинейных диффузионных емкостей и постоянной емкости относительно подложки. Учет накопления зарядов позволяет анализировать частотные и переходные характеристики транзистора. Барьерные емкости моделируют приращение зарядов неподвижных носителей, находящихся в обедненном слое, в случае приращения напряжений на соответствующих р-и-переходах. Барьерная емкость каждого из p - n - переходов является существенно нелинейной функцией напряжения. Введением в эквивалентную схему диффузионных емкостей учитывают влияние зарядов подвижных носителей в транзисторе. Этот заряд подразделяется на две составляющие, одна из которых связана с током коллекторного генератора, а другая - с током эмиттерного генератора. Учет емкости транзистора относительно подложки необходим для анализа характеристик не только интегрального транзистора, но также других элементов ИМС. В действительности эта емкость представляет собой барьерную емкость р-п-перехода и зависит от напряжения между эпитаксиальным слоем и подложкой. В большинстве случаев ее представляют в виде постоянной емкости, что достаточно точно характеризует влияние изолирующего перехода. [26]
 |
Энергетическая диаграмма МОП-структуры для трех. [27] |
Характеристика накопления заряда в накопительной ячейке МОП-конденсатора иллюстрирует рис. 422 [19], где показано, как изменяется поверхностный потенциал фа ( в относительных единицах) по мере накопления заряда Q. На том же графике приведена зависимость ширины х обедненного слоя от накопленного заряда. Характер зависимостей р и д от Q определяется физическими характеристиками материала и конструкции МОП-конденсатора, в частности концентрацией легирующей примеси и толщиной слоя оксида. [28]
Эффект накопления заряда является также основным фактором, определяющим время переключения. [29]
Механизм накопления заряда на плавающем затворе связан с дрейфом через диэлектрик в поле управляющего электрода горячих электронов. Инжекция последних в диэлектрик обусловлена лавинным умножением электронов, или так называемой канальной инжекцией. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5