Накопление - объемный заряд
Cтраница 2
Чем отличается принцип действия генераторов с ограничением накопления объемного заряда от принципа действия генераторов Ганиа. [16]
 |
Кинетика накопления объемного разряда в полиметилметакрилате. 1 зь - 0 1. 2 0 3. 5 0 5. 4 5 кА / см2. [17] |
На рис. 3.21 приведены рассчитанные по соотношению (3.88) характеристики накопления объемного заряда в полиметилметакрилате при облучении электронами с энергией 1 МэВ для различных плотностей тока. Расчет проведен при А 4 10 - 12 с ( Ом - м - Гр); 5 0 7; j3 - 0 02 К 1; с - 750 Дж / ( кг - К); E / SQ - 3 5; EQ - диэлектрическая постоянная вакуума. Полученные зависимости заметно отличаются от таковых для слаботочных пучков. В случае интенсивных пучков не наблюдается насыщения зависимостей накопления объемного заряда. При достаточной длительности импульса электронного тока к моменту его окончания в образце объемного заряда может и не быть, хотя в процессе облучения он приводит к образованию электрических полей с напряженностью, превышающей пробивную. [18]
Возникновение коронного разряда на линии электропередачи при переменном напряжении приводит к накоплению объемного заряда в области поля, прилегающей к проводу. Размеры области поля с движущимся объемным зарядом измеряются десятками сантиметров, а для расщепленных проводов приближаются к метру. При увеличении перенапряжения значительная доля полного заряда линии оказывается вне провода. Соответственно возрастает эквивалентная емкость коронирующей линии по сравнению с ее геометрической емкостью. [19]
Рассмотрим работу диода Ганна в одноконтурной резонансной схеме в режиме с ограниченным накоплением объемного заряда. [20]
Большое участие принимал Курчатов совместно с К. Д. Синельниковым в изучении высоковольтной поляризации - накопления объемных зарядов вблизи электродов и результате прохождения электрического тока. [21]
Это новое стационарное состояние Аст, достигнутое в результате увеличения тока через промежуток и накопления объемного заряда, устойчиво, поскольку незначительное случайное отклонение тока приводит к таким изменениям поля и процессов в промежутке, которые восстанавливают режим разряда. [22]
 |
Эквивалентная схема диода Ганна. [23] |
Кроме описанного режима работы, называемого доменным, диоды Ганна могут работать в режиме ограниченного накопления объемного заряда ( ОНОЗ), который возникает при условии, что напряженность поля превышает критическую в течение некоторой части периода, недостаточной для завершения процесса формирования домена сильного поля. [24]
Она определяет минимальный фактор шума генератора и позволяет объяснить, почему генератор в режиме с ограниченным накоплением объемного заряда потенциально меньше шумит, чем ганновский генератор с движущимися доменами: модуль подвижности по всей длине образца с однородным полем значительно выше, чем подвижность в необедненных областях по краям домена в ганновском диоде. [25]
Между доменными режимами и режимом ОНОЗ могут существовать промежуточные ( гибридные) режимы, в которых допускается накопление объемного заряда, но превышения поля над пороговым еще недостаточно для полного формирования домена. [26]
В оконечных тетродах низкой частоты, где имеются достаточно большие токи, для устранения динатронного эффекта анода можно получить минимум потенциала за счет накопления электронного объемного заряда. В лампах, получивших название лучевых тетродов, где использован этот метод, электронный поток специально фокусируется для увеличения плотности объемного заряда. Для этого намотка витков управляющей и экранной сеток делается с одним шагом. [27]
При первой критической частоте я более высокой происходит накопление положительных ионов, так как подвижность электронов существенно выше ионов, а количество отрицательных ионов меньше, чем положительных. Наряду с процессом накопления объемного заряда происходит и процесс его диффузии. При уменьшении пробивного напряжения увеличивается время, необходимое для накопления заряда, что способствует его диффузии, npir определенной частоте наступает равновесие между этими процессами. Поэтому с увеличением частоты выше критической снижение пробивного напряжения происходит до определенной частоты, начиная с которой пробивное напряжение не зависит от нее вплоть до наступления второй критической частоты, соответствующей кумулятивной ионизации электронами. Снижение пробивного напряжений при частотах выше второй критической также происходит до определенной частоты, выше которой происходит рост пробивного напряжения с повышением частоты. В этом диапазоне частот длительность полупериода напряжения настолько мала, что некоторые электроны за это время не успевают осуществить ни одного акта ионизации. [29]
Это предотвращает накопление заряда и сохраняет более или менее однородное поле по всему прибору. Тжим образом, зависимость тока от напряжения для этого режима, известного под названием режима с ограниченным накоплением объемного заряда определяется зависимостью скорости от величины поля, так как ток равен qnv ( E) A, где п - плотность электронов; А - площадь прибора и v ( E) - зависящая от поля скорость дрейфа. Из этого следует, что при отрицательной дифференциальной подвижности у диода появляется отрицательное дифференциальное сопротивление и, следовательно, его можно использовать для усиления. Режим ограниченного накопления объемного заряда имеет то преимущество, что он потенциально пригоден для получения большой выходной мощности на СВЧ. Более того, ожидается, что ганновские диоды с однородным распределением поля из-за более высокой подвижности должны иметь меньшие шумы, чем диоды с неоднородными полями. [30]
Страницы: 1 2 3 4