Cтраница 4
Отличительная особенность этого режима - - - высокая частота колебаний, определяемая резонатором, вследствие чего домен в диоде не успевает сформироваться. Здесь так же, как и н предыдущем режиме, в течение части периода колебании Л / суммарное напряженно превышает пороговое значение напряжения. Однако ввиду высокого значения частоты за премя Л домен не успевает сформироваться. В течение времени Д / ток через диод падает и происходит накопление объемного заряда. [46]
ГГц, то домен не будет успевать полностью формироваться. При уменьшающемся внешнем напряжении напряженность поля уменьшается, а проводимость и ток - увеличиваются. Следовательно, диод Ганна в этом режиме, получившем название режима с ограниченным накоплением объемного заряда, ведет себя как отрицательное динамическое сопротивление и может использоваться как источник СВЧ колебаний, рабочая частота которого ( до 300 ГГц) определяется не диодом, а резонансной системой, подключенной к Диоду. [47]
ГГц, то домен не будет успевать полностью формироваться. При уменьшающемся внешнем напряжении напряженность поля уменьшается, а проводимость и ток - увеличиваются. Следовательно, диод Ганна в этом режиме, получившем название режима с ограниченным накоплением объемного заряда, ведет себя как отрицательное динамическое сопротивление и может использоваться как источник СВЧ колебаний, рабочая частота которого ( до 300 ГГц) определяется не диодом, а резонансной системой, подключенной к диоду. [48]