Накопление - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
Накопление неосновных носителей заряда в базе п-р - п транзистора обусловлено процессами их диффузии, дрейфа и рекомбинации. Строгий теоретический подход к анализу этих процессов заключается в решении уравнения непрерывности. При произвольном уровне инжекции уравнение непрерывности нелинейно и получить аналитическое решение для распределения п ( х, t) в базе невозможно. [1]
 |
Устройство точечных диодов. [2] |
Накопление неосновных носителей зарядов вблизи р-л-перехода во время прохождения прямого тока ухудшает динамические свойства диода, особенно при работе в импульсных схемах. [3]
 |
Практическая схема усилителя с накоплением неосновных носителей заряда. [4] |
Вследствие накопления неосновных носителей заряда во время подачи сигнального импульса диод Д остается открытым в течение нескольких микросекунд также после изменения полярности напряжения. Благодаря этому через диод и сопротивление нагрузки во время питающего импульса проходит импульс тока, амплитуда которого приблизительно пропорциональна сигнальному импульсу. Для сигнальных импульсов, действующих в прямом направлении, достаточны очень малые амплитуды; наоборот, питающие импульсы, полярность которых соответствует обратному направлению, должны иметь большую амплитуду и поэтому выходная мощность может значительно превышать входную. В этой схеме возможен только один импульсный режим, при этом выходные импульсы по отношению к входным сдвинуты. Вспомогательный диод Д необходим только для развязки выхода от источника сигнала и должен по возможности работать без накопления неосновных носителей заряда. Для этой цели пригодны быстродействующие переключающие диоды или вакуумные диоды. [5]
В процессе накопления неосновных носителей заряда увеличивается градиент их концентрации около коллекторного перехода, что соответствует увеличению тока коллектора. При больших значениях тока эмиттера / si ток коллектора ограничен не током эмиттера, а параметрами выходной коллекторной цепи. [7]
В процессе накопления неосновных носителей заряда увеличивается градиент их концентрации около коллекторного перехода, что соответствует увеличению тока коллектора. При больших значениях тока эмиттера / ai ток коллектора ограничен не током эмиттера, а параметрами выходной коллекторной цепи. [9]
Для меньшей вероятности накопления неосновных носителей заряда около контакта металл - полупроводник потенциальный барьер здесь должен быть по возможности меньшим. Так как это обеспечить трудно, то поверхностный слой полупроводника должен быть сильно легирован для обеспечения возможности туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер. [10]
Собственная емкость и эффект накопления неосновных носителей заряда приводят к тому, что диод при достаточно высокой частоте имеет в обоих направлениях соизмеримое комплексное сопротивление и тогда он не имеет никакого направленного действия. Предельная частота у обычных плоскостных диодов равна нескольким килогерцам. Специальные типы диодов и точечные диоды пригодны для работы до диапазона сантиметровых волн. [11]
В каком случае может происходить накопление неосновных носителей заряда вблизи омическою перехода между металлом и полупроводником. [12]
Первое из них - это накопление неосновных носителей заряда в базе диода при его прямом включении и их рассасывание при уменьшении напряжения. Так как электрическое поле в базе диода обычно невелико, то движение неосновных носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно. Поэтому накопление носителей в базе и их рассасывание могут влиять на свойства диодов в режиме переключения. [13]
В каком случае может происходить накопление неосновных носителей заряда вблизи невыпрямляющего контакта металл-полупроводник. [14]
 |
Зависимость нормированном емкости от на. [15] |
Страницы: 1 2 3 4