Накопление - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
Инверсный слой образуется за счет накопления неосновных носителей заряда вблизи поверхности полупроводника, причем этот слой отделен от объема полупроводника обедненном слоем. Концентрация неосновных носителей заряда в инверсюм слое возрастает за счет двух процессов: 1) диффузии неоснозных носителей из объема полупроводника; 2) тепловой генерации носителей заряда в области объемного заряда и через поверхюстные уровни. [16]
Переходные характеристики плоскостных диодов, обусловленные накоплением неосновных носителей заряда. [17]
 |
Усилитель с накоплением неосновных носителей заряда. [18] |
Другой тип усилительных схем основан на эффекте накопления неосновных носителей заряда, которое возникает при изменении полярности диода с прямого направления на обратное. Гь который питает его напряжением сигнала в ви-де импульсов. [19]
Инерционность переходных процессов связана в первую очередь с накоплением неосновных носителей заряда в базе и перезарядом барьерных емкостей р-п переходов транзистора. [20]
В связи с увеличением инжекционной составляющей тока эмиттера происходит процесс накопления неосновных носителей заряда в базе транзистора. Этот процесс также происходит не мгновенно, так как скорость движения неосновных носителей заряда в базе конечна. [21]
За время переднего фронта импульса тока коллектора в базе транзистора происходит накопление неосновных носителей заряда, что можно пояснить с помощью рис. 4.43, б, где показаны кривые распределения неосновных носителей в базе транзистора в различные моменты времени. [22]
Вызвано это повышенным падением напряжения до тех пор, пока не произойдет накопление неосновных носителей заряда в базе диода в результате инжекции и не уменьшится объемное сопротивление базы. Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения диода в прямом направлении, называют установлением прямого сопротивления диода. [23]
 |
Зависимость относительного значения выпрямленного тока от частоты переменного напряжения. [24] |
При рассмотрении переходных процессов в р-п переходе было показано, что процессы накопления неосновных носителей заряда - дырок в n - базе р - п перехода - носят емкостный характер. [25]
 |
Устройство диффузионного резистора на р-слое ( / - выводы резистора. 2 - диэлектрический слой. 3 - резистор. [26] |
Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к дефектам накопления неосновных носителей заряда, поэтому в принципе имеют высокие граничные частоты и скооости переключения. [27]
При более высоких частотах добавляются еще другие составляющие нагрузки, которые вызываются накоплением неосновных носителей заряда. [28]
При протекании через р-п переход тока в прямом на-правлении в области перехода происходит накопление неосновных носителей заряда и их концентрация здесь может значительно превосходить равновесную концентрацию в объеме полупроводника ( рис. 8.15 6), увеличиваясь с ростом прямого тока. [29]
Прибор с зарядовой связью - это полупроводниковый прибор, в котором может происходить накопление неосновных носителей заряда под электродами МДП-структур ( под электродами затворов) и перемещение этих носителей от одного электрода к другому. [30]
Страницы: 1 2 3 4