Накопление - избыточный носитель
Cтраница 1
Накопление избыточных носителей в виде избыточного заряда практически прекращается через время ta 2 2тн, называемое временем накопления. [1]
После перехода транзистора в режим насыщения начинается стадия накопления избыточных носителей. [2]
В дрейфовых транзисторах со сравнительно толстым и высокоомным коллекторным слоем накопление избыточных носителей происходит не только в базе, но и в коллекторе. Значит, наряду с инжекцией дырок из коллектора в базу имеет место заметная инжек-ция электронов из базы в коллектор. В связи с большой величиной рк время жизни электронов в коллекторе сравнительно велико, а следовательно, велика и диффузионная длина. В результате в коллекторе накапливается заряд избыточных электронов и соответствующий заряд компенсирующих дырок. [3]
Измерение величины тн, необходимой для расчетов времени рассасывания и накопления избыточных носителей в базе, производится в схеме ключа, работающего в области насыщения. [4]
Процесс переключения транзистора обладает инерционностью, связанной с конечными скоростями накопления избыточных носителей заряда в базе при включении и рассасывания их при выключении. [5]
Так как коллекторный переход смещен в прямом направлении, то происходит накопление избыточных носителей как в базе, так и в коллекторе ( основное накопление избыточного заряда происходит в области коллектора), потому что интегральные транзисторы имеют высокоомный коллектор и, следовательно, коэффициент инжекции коллекторного перехода значительно меньше единицы. Рассасывание этого заряда при выключении диода и определяет время восстановления обратного сопротивления, зависимого от свойств коллектора. Если толщина коллектора значительно превышает диффузионную длину неосновных носителей в нем, то его называют толстым, а при обратном соотношении между этими величинами - тонким. Для толстого коллектора постоянная времени рассасыв ания равна времени жизни дырок в коллекторе, а для тонкого коллектора - времени пролета дырками коллектора. [6]
 |
Разделение полного заряда в базе на две составляющие, соответствующие собираемому и инжектируемому компонентам коллекторного тока.| Накопление носителей в базе. [7] |
В дрейфовых транзисторах, характерных сравнительно толстым и ЕЫСОКООМНЫМ коллекторным слоем, накопление избыточных носителей происходит не только в базе, но и в коллекторе. Значит, наряду с инжек-цией дырок из коллектора в базу имеет место заметная инжекция электронов из базы в коллектор. [8]
 |
Структура дрейфового транзистора. [9] |
Как уже отмечалось во введении, в режиме насыщения в дрейфовом транзисторе происходит накопление избыточных носителей в области коллектора и базы. [10]
 |
К пояснению формирования фрон - щения на базе. / бш т. е. та импульса порядка нескольких деся. [11] |
В момент времени 4 ток z Ki становится равным току насыщения / кн; идет процесс накопления избыточных носителей в базе транзистора TI и конденсатор Cei заряжается. [12]
Принята одномерная модель транзистора, но все основные параметры: а. W - определяются экспериментально, что частично учитывает различие в площадях переходов и некоторые другие следствия неодномерности, однако не связанные с накоплением избыточных носителей в периферийных областях транзистора. [13]
Если транзистор закрыт, то сравнительно большая разность потенциалов между коллектором и базой, которая почти полностью прикладывается к диоду, оказывается достаточной для его запирания. И только тогда, когда транзистор отпирается и потенциал его коллектора, а следовательно, и потенциал анода Д, повышаясь, достигает определенного уровня, диод отпирается и вступает в действие обратная связь, При этом часть тока коллектора через диод ответвляется во входную цепь транзистора и ток базы уменьшается. Таким образом, уменьшается поток носителей в базу, а поэтому исключается накопление избыточных носителей в базе и предотвращается насыщение транзистора. Открытый транзистор работает в активной области, но из-за отрицательной обратной связи усиление сигналов заметно уменьшается, что способствует повышению помехоустойчивости триггера. Обратная связь приводит и к уменьшению выходного сопротивления ( так как это обратная связь по напряжению), что благоприятно отражается на нагрузочной способности триггера. [14]
При этом неравновесные носители могут уходить из области базы также через эмиттер ( эмиттерное рассасывание), запирающий потенциал базы повышается и передается коллектору в виде выброса напряжения, противоположного полярности источника, питающего коллекторную цепь. На время эмиттерного рассасывания ток коллектора увеличивается сверх значения / к. У транзисторов, изготовляемых методами диффузии примесей и не предназначенных для работы в быстродействующих переключающих схемах, время рассасывания может быть больше определяемого ф-лой ( 2 - 184) вследствие накопления избыточных носителей в объеме вы-сокоомной коллекторной области. [15]
Страницы: 1 2