Накопление - избыточный носитель
Cтраница 2
 |
Схемы усилителей-формирователей коротких импульсов с емкостным контуром в цепях базы ( а и эмиттера ( б. [16] |
В схемах на биполярных транзисторах более подходящим является индуктивный контур, который позволяет заметно увеличить длительность импульса при работе на низкоомную нагрузку. Чтобы заметно расширить импульсы, индуктивный контур надо подключить к источнику с низкоомным выходом. В области насыщения транзистор имеет малое выходное сопротивление. Насыщение транзисторов обусловлено накоплением избыточных носителей в базе, что само по себе дает интегрирующий эффект. Поэтому при работе в режиме насыщения в большинстве случаев отпадает необходимость в дополнительном индуктивном контуре, так как удается заметно увеличить длительность выходного импульса за счет накопления носителей в базе. [17]
Страницы: 1 2