Накопление - неравновесный носитель
Cтраница 1
 |
Распределение неравновесных носителей в базе диода в различные моменты времени. [1] |
Накопление неравновесных носителей в приконтактных областях р-и-перехода связано с зарядом диффузионной емкости, а рассасывание неравновесного заряда соответствует разряду этой емкости. [2]
 |
Процессы установления обратного тока. [3] |
Накопление неравновесных носителей при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого Тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [4]
Накопление неравновесных носителей в базовых областях равносильно дополнительной разности потенциалов на коллекторном переходе, которая в отличие от внешней разности потенциалов стремится сместить коллекторный переход в прямом направлении. [5]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда на потенциальном барьере р-п-перехо-да при поглощении квантов света. [6] |
Накопление неравновесных носителей в соответствующих областях не может продолжаться беспредельно, так как одновременно с накоплением дырок в р-области и электронов в n - области происходит понижение высоты потенциального барьера на значение возникшей фото - ЭДС. Уменьшение высоты потенциального барьера или уменьшение суммарной напряженности электрического поля в p - n - переходе ухудшает разделительные свойства перехода. [7]
Накопление неравновесных носителей в базовых областях равносильно дополнительной разности потенциалов на коллекторном переходе, которая в отличие от внешней разности потенциалов стремится сместить коллекторный переход в прямом направлении. [8]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда. [9] |
Накопление неравновесных носителей в соответствующих областях не может продолжаться беспредельно, так как одновременно с накоплением дырок в р-области и электронов в n - области происходит понижение высоты потенциального барьера на значение возникшей фото - ЭДС. Уменьшение высоты потенциального барьера или уменьшение суммарной напряженности электрического поля в p - n - переходе ухудшает разделительные свойства перехода. [10]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [11] |
Время накопления неравновесных носителей в базе диода зависит от времени жизни неосновных носителей. Для снижения времени накопления применяется диффузия золота. При этом время жизни неосновных носителей составляет примерно 10 не. Однако диффузия золота снижает коэффициент усиления и транзисторы могут иметь большую задержку включения. [12]
Сопротивление открытого СИТ при накоплении неравновесных носителей уменьшается от единиц-долей ома, характерных для полевого режима, до десятков миллиом, что снижает общие статические потери в ключе. [13]
Итак, при протекании через - - переход прямого тока около перехода происходит накопление инжектированных неравновесных носителей. [14]
При протекании через / 7-л-переход прямого тока около перехода в - и / 7-областях происходит накопление инжектированных неравновесных носителей. [15]
Страницы: 1 2