Накопление - неравновесный носитель
Cтраница 2
 |
Зависимость от времени напряжения на диоде ( а. [16] |
В первый момент прохождения через диод импульса прямого тока на диоде падает относительно большое напряжение, которое в дальнейшем уменьшается из-за уменьшения сопротивления базовой области диода, связанного с накоплением неравновесных носителей в базе. [17]
 |
Зависимость барьерной Сб. [18] |
При приложении к р - п-переходу напряжения в проводящем направлении большое количество носителей заряда диффундирует через пониженный потенциальный барьер и не успевает при этом рекомбинировать. В области р - - перехода происходит накопление инжектированных неравновесных носителей и образуемого ими заряда, причем процесс накопления зависит от приложенного напряжения. В результате появляется емкость, которая называется диффузионной, так как она обусловлена диффузионными процессами в переходе. [19]
 |
Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [20] |
Особой разновидностью импульсных диодов является диод с накоплением заряда. Такой диод изготовляется с помощью диффузионной технологии, причем вследствие неравномерного легирования кристалла полупроводника в базе появляется электрическое поле, тормозящее движение инжектированных носителей в направлении к невыпрямляющему контакту. Поэтому накопление неравновесных носителей при протекании прямого тока происходит в весьма узком слое базы, непосредственно прилегающем к р-п переходу. Это приводит к тому, что при переключении диода с прямого направления на обратное его сопротивление в течение некоторого времени остается очень низким, а затем резко возрастает до нормального значения обратного сопротивления. С помощью таких диодов удается формировать импульсы напряжения с очень крутыми фронтами ( менее 0 2 не) и строить ряд оригинальных устройств, в частности импульсные усилители и умножители частоты. [21]
Как отмечалось в § 5.1, увеличение тока, проходящего через один из эмиттер-ных переходов тиристора, путем подачи соответствующего напряжения на управляющий электрод приводит к накоплению неравновесных носителей заряда в базовых областях тиристора и к переключению его в открытое состояние при анодном напряжении на тиристоре значительно меньшем, чем / вкл. При этом процесс накопления неравновесных носителей происходит не мгновенно; поэтому для включения тиристора необходимо, чтобы импульс управляющего тока имел определенную длительность и амплитуду. [22]
 |
Схемы включения фототранзистора. [23] |
К коллекторному переходу приложено обратное напряжение, а эмиттерный переход смещен в прямом направлении. В области базы при освещении возникают электронно-дырочные пары. Неосновные носители диффундируют к коллекторному и эмиттерному переходам и под действием их электрических полей перекосятся в коллекторную и эмиттерную области. В базовой области происходит накопление основных неравновесных носителей, при этом изменяется ее заряд, а следовательно, и потенциал между базовой и эмиттерной областями. Это приводит к увеличению потока носителей, переходящих в базу из эмиттера. Часть носителей рекомбинируют в базе, а большая часть переходит в коллекторную область. [24]
Квазитреугольная потенциальная яма ограничивает движение электронов ( см., например, [1864]) и может явиться причиной квантовых эффектов, аналогичных наблюдаемым в инверсионных слоях. Такие структуры, но со средним слоем, слишком толстым для проявления квантовых эффектов, уже много лет используются в гетеролазерах [248, 1019] с целью накопления неравновесных носителей и получения волноводного эффекта. Если же толщину среднего слоя сделать сравнимой с фермиевской длиной волны 2ir / kF, то квантовые эффекты заметно модифицируют энергетический спектр системы. Регулярным повторением подобных ям, чередующихся с потенциальными барьерами, может быть создана сверхрешетка. [26]
Страницы: 1 2