Накопление - электрон
Cтраница 2
Если ключ разомкнут, то на сетке получается накопление электронов и лампа запирается. Но в лампах, имеющих левую характеристику, отрицательный потэнциал, получающийся на сетке от скопления электронов, недостаточен для запирания лампы. [16]
У последующих элементов 4-го периода вно вь начинается накопление электронов, но уже на четвертом слое. [17]
 |
Поляризационные кривые. [18] |
Если скорость подвода этих веществ отстает от скорости накопления электронов на катоде, то его потенциал смещается в более отрицательную сторону. [19]
 |
Схема включения ионизационной камеры в режиме счета частиц. [20] |
При RC t ( где / - время накопления электронов на аноде) ИК позволяет по амплитуде импульса определить и число частиц, и их энергию, но такой режим работы возможен лишь при малой интенсивности потока частиц. Для регистрации больших потоков частиц используют ИК с малой постоянной времени, но в этом случае определение энергии частицы осложняется. [21]
Теперь следует отразить тот факт, что нигде нет накопления электронов и дырок, так что уравнениями, подобными (8.35), можно пользоваться для описания концентраций электронов и дырок. Необходимо также включить член, учитывающий генерацию и рекомбинацию электронно-дырочных пар. [22]
Ознакомимся теперь с тем, как влияет на свойства элемента накопление электронов на внешнем слое атома при одном и том же количестве промежуточных слоев. Получаем нижеследующую таблицу, в которой элементы условно разбиты на две серии, отличающиеся между собой количеством электронных слоев в атоме. [23]
Решение уравнения непрерывности при 6ЭЛС - б О характеризует динамику накопления электронов. [24]
 |
Схема работы рубинового лазера.| Принципиальная схема лазера. [25] |
Так как 10 - 8 сек 10 - 3 сек, накопление электронов на уровне 2 может оказаться очень значительным. Создающееся таким путем метастабильиое состояние системы нарушается появлением введенного извне или возникшего в ней самой фотона с X 6943 А, который индуцирует рабочий переход накопленных на уровне 2 электронов, завершающийся за миллионные доли секунды. [26]
Несколько неожиданным результатом теоретического рассмотрения этого вопроса является то, что, накопление электронов происходит не в области коллектора, противолежащей базовому контакту. Как показали вычисления, в связи с протеканием в режиме насыщения большого базового тока поле в структуре транзистора для практически важных значений коллекторного тока распределено таким образом, что переход коллектор - база максимально смещен в прямом направлении как раз напротив базового контакта. [27]
Это время ограничено, так как постепенно величина зарядового пакета изменяется вследствие неконтролируемого накопления электронов в потенциальных ямах под затвором. Эти электроны появляются в результате тепловой генерации носителей заряда в обедненном слое и на границе полупроводника с диэлектриком, а также за счет диффузии из подложки. [28]
В соответствии с нашим определением хемосорбции как ионо-сорбции в последующем тексте мы будем обозначать накопление электронов в слое хемоеорбированного кислорода знаком минус, даже если электроны и не переходят полностью к атомам кислорода. В стационарном состоянии в граничном слое установится некоторое распределение свободных электронов или дырок: диффузионный ток электронов или дырок, вызванный градиентом концентрации, уравновесится противоположно направленным током за счет градиента результирующего электрического поля. [29]
Следующий интервал частот ( зона F) характерен тем, что устанавливается равновесие между накоплением электронов и их диффузией из промежутка. При этом разрядное напряжение практически не зависит от частоты. [30]
Страницы: 1 2 3 4