Накопление - электрон
Cтраница 3
В элементах, следующих за лантаном ( с порядковыми номерами от 58 до 71), с возрастанием атомного номера происходит накопление электронов не в последнем и не в предпоследнем, а в третьем снаружи электронном слое ( до. [31]
В элементах, следующих за лантаном ( с порядковыми номерами от 58 до 71), с возрастанием атомного номера происходит накопление электронов не в последнем и не в предпоследнем, а в третьем снаружи электронном слое ( до 32), так что в двух внешних слоях сохраняются, как правило, те же количества электронов, что и у лантана: два и девять электронов. [32]
Обе теории, по крайней мере в том, что касается простейшей интерпретации их результатов, достигают цели, так как приводят к выводу о накоплении электронов в области их наиболее эффективного взаимодействия с ядрами. Такая область фактически совпадает с окрестностью межъядерной оси. Эта общепринятая интерпретация химической связи не учитывает, однако, роли вклада кинетической энергии в полную энергию. В обеих теориях значительные вклады как в потенциальную, так и в кинетическую энергию могут быть приписаны искажению орбита-лей атомов, составляющих молекулу. При элементарном анализе рассматриваемых теорий этим важным вкладом часто пренебрегают, и поэтому в данном разделе мы поступим таким же образом, а для более детального рассмотрения этого вопроса отошлем читателя к работам, перечисленным в конце раздела. [33]
Пришедшие в базу электроны не могут сразу рекомбини-ровать с дырками базы или дойти до омического контакта базы ( где они тоже могли бы рекомбинировать), поэтому происходит накопление электронов в базе. Чем больше прямой ток, тем больше электронов накапливается в базе. Число электронов зависит также от времени жизни носителей заряда: чем оно больше, тем меньше электронов рекомбинирует. [34]
Пришедшие в базу электроны не могут сразу рекомбинировать с дырками базы млн дойти до омического контакта базы ( где они тоже могли бы рекомбинировать), поэтому происходит накопление электронов в базе. Чем больше прямой ток, тем больше электронов накапливается в базе. Число электронов зависит также от времени жизни носителей заряда: чем оно больше, тем меньше электронов ргкомбинирует. [35]
Имея это в виду, мы тем не менее будем связывать прочность химических связей с накоплением электронной плотности в области связывания между ядрами, не уточняя, обусловлена ли эта сила поджатием соответствующих орбиталей или просто изменением ядерно-электронного взаимодействия вследствие накопления электронов в межь ядерной области. [36]
 |
Разделение неравновесных носителей заряда на потенциальном барьере р-п-перехо-да при поглощении квантов света. [37] |
В результате накопления электронов в - области и дырок в р-области между этими областями возникает дополнительная разность потенциалов - фото - ЭДС. [38]
В арсениде галлия у границы раздела 5 двух полупроводников в зоне проводимости образуется область 3 с минимальной энергией электронов. В этой области происходит накопление электронов, переходящих из области 4, расположенной в арсениде галлия-алюминия. Область 4 обеднена электронами и заряжена положительно, так как содержит нескомпенсированные ионы доноров. [39]
Причиной металлических свойств является слабая связь электронов в атомах, а причиной металлоидных свойств - прочная связь их. В - каждом периоде с накоплением электронов во внешней оболочке атома упрочняется связь их, а к концу периода появляется тенденция элементов захвату электронов для завершения1 внешней оболочки, что и выражается в ослаблении металлических и усилении металлоидных свойств. [40]
 |
Схема работы рубинового лазера.| Схема устройства рубинового лазера. [41] |
Важной особенностью последнего является то, что на нем электроны способны удерживаться уже сравнительно долго - в течение тысячных долей секунды. Так как Ю 8 сек Ю-3 сек, накопление электронов на уровне 2 может оказаться очень значительным. Создающееся таким путем метастабильное состояние системы нарушается появлением введенного извне или возникшего в ней самой фотона с Я6943А, который индуцирует рабочий переход накопленных на уровне 2 электронов, завершающийся за миллионные доли секунды. [42]
Как видно, в стационарном режиме ( dQn / dt 0) ток базы состоит из двух компонентов, один из которых обусловлен рекомбинацией, а второй - электронными потоками через переходы. В нестационарном режиме добавляется третий компонент, обусловленный накоплением электронов в базе. [43]
Мы должны иметь в виду такое объяснение. Во многих руководствах химическое связывание объясняется стабилизацией, обусловленной увеличением электронно-ядерного притяжения из-за накопления электронов в области связывания между ядрами. Точные расчеты Но показывают, что это мнение несостоятельно, однако оно все-гаки может быть верным для более сложных молекул, для которых такие детальные расчеты еще не были проведены. Когда электроны концентрируются между ядрами, они обычно считаются связывающими электронами. Поэтому при дальнейшем обсуждении мы приписываем силу химических связей накоплению электронной плотности в области связывания и оставляем открытым вопрос о том, обусловлена ли эга сила в молекулах более сложных, чем lit, сморщиванием соответствующих орбнталей или простым изменением ядерно-электронного взаимодействия Ьслсдствие накопления электронной плотности в межъядсрной обрасти. [44]
Как видно, встационарном режиме ( dQn / dt 0) ток базы состоит из двух компонентов, один из которых обусловлен рекомбинацией, а второй - электронными потоками через переходы. В нестационарном режиме добавляется третий компонент ( dQn / dt), обусловленный накоплением электронов в базе. [45]
Страницы: 1 2 3 4