Cтраница 2
Сравнение выражений ( 13) и ( 24) показывает взаимосвязь коэффициента прохождения и амплитуды рассеянной волны. [16]
При линейных размерах блоков меньше экстинкционной длины эффекты динамического рассеяния не наблюдаются, так как суммарной амплитудой рассеянных волн можно пренебречь по сравнению с амплитудой первичной волны. В этом случае рассеяние описывается кинематической теорией, согласно которой интенсивность отражения маленьким кристаллом ( бло-ком) пропорциональна квадрату модуля структурной амплитуды l - F / tl2, а коэффициент отражения значительно меньше еди-иицы. [17]
Дифракционный луч в кристалле можно описать величиной F ( hkn которая характеризуется модулем, соответствующим величине амплитуды рассеянной волны, и фазой, зависящей от ее направления. [18]
Величина ц называется сдвигом фазы при рассеянии и содержит информацию как о фазе, так и об амплитуде рассеянной волны. Это утверждение в трехмерном случае справедливо так же, как и в одномерном. [19]
Величина TJ называется сдвигом фазы при рассеянии и содержит информацию как о фазе, так и об амплитуде рассеянной волны. Это утверждение в трехмерном случае справедливо так же, как и в одномерном. [20]
Решение уравнения ( 11) дает возможность определить амплитуду колебаний электрона, а следовательно, и пропорциональную ей амплитуду рассеянных волн. [21]
![]() |
К выводу формулы. [22] |
Простой расчет показывает, что q fv 10 - 5 - н10 - 4, значит, уже после рассеяния 104 - 103 слоями ( размер кристалла 10 - 3 - г - 10 - 4 мм) амплитуда рассеянной волны сравнима с амплитудой падающей волны и пренебречь их взаимодействием нельзя. [23]
Амплитуда рассеянной волны отрицательна. [24]
Пусть частица с линейным размером I рассеивает солнечный свет с длиной волны Аи амплитудой А. Амплитуда рассеянной волны уменьшается с увеличением расстояния от частицы. Пусть она равна S на расстоянии г от частицы, Требуется определить зависимость S от остальных переменных величин. [25]
Произвольные постоянные Л определяются начальными условиями. Амплитуда рассеянной волны должна равняться нулю на входной поверхности г - е z 0, тогда как амплитуда прошедшей волны на входной поверхности равна единице, поскольку мы пренебрегаем отражением от входной поверхности в обратном направлении. [26]
При этом амплитуда рассеянной волны всегда меньше ( или равна) амплитуды падающей, так как часть волны поглощается черной дырой. Рассмотрение этого вопроса в случае вращающейся черной дыры показывает, что при определенных параметрах облучающей волны возможно увеличение амплитуды рассеянной волны по сравнению с падающей. Добавочная энергия при этом черпается из вращательной энергии черной дыры. [27]
Второе важное различие для разных типов излучений возникает из относительной силы взаимодействия с веществом. Для рентгеновских лучей и нейтронов амплитуда рассеянной волны временами достигает величины, при которой многократное рассеяние становится существенным и кинематическое приближение нарушается. При этом для образования четких брэгговских отражений луч должен пройти значительную толщину кристалла и вероятность того, что одновременно будет получен более чем один брэгговский отраженный луч, очень мала. [28]
Способ, предложенный Пен-роузом, можно несколько изменить, рассмотрев вместо падающего на вращающуюся черную дыру тела, электромагнитную или гравитационную волну. Обычно при рассеянии волны на черной дыре амплитуда рассеянной волны меньше амплитуды падающей волны, поскольку часть энергии поглощается черной дырой. Однако при падении цилиндрической волны, для которой отношение энергии к ее угловому моменту относительно оси вращения черной дыры меньше угловой скорости черной дыры, происходит усиление. [29]