Cтраница 2
Приведенная формулировка причин повреждения отличается от указанного выше коррозионного растрескивания только заменой коррозионного на коррозионно-механическое, что ничего не меняет, так как коррозионное растрескивание всегда происходит при наличии механических напряжений. [16]
Недостатки применения полимерной защиты заключаются в следующем: слабая защита от проникновения влаги; в процессе заливки, выводы от микросхем к рамке деформируются, что может привести к выходу из строя или снижению надежности схемы; наличие механического напряжения сжатия На МИК-росхеме вследствие усадки полимера; взаимодействие полимера с микросхемой из-за непосредственного контакта с ней; схемы чувствительны к взаимодействию внешней среды и могут выходить из строя; плохая теплоотдача. Тем не менее полимерная защита получила широкое распространение благодаря тому, что этот метод является одним из самых дешевых и не требует дорогостоящих материалов. Однако применение его ограничивается малой мощностью микросхем и небольшим количеством выводов. [17]
До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристаллографической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. Механические напряжения могут возникнуть в результате изменения магнитного состояния вещества ( магнитострикция), а также под действием внешних сил, приложенных к образцу. [18]
![]() |
Виды местной коррозии металлов. [19] |
При этом разрушение может распространяться как по границам кристаллов, так и по телу их в виде тонких волосных трещин. При наличии механических напряжений образование язв и точечных поражений ( питтингов), являющихся концентраторами напряжений, приводит к ускоренному разрушению металлоконструкций. [20]
![]() |
Кривые намагничивания в разных направлениях монокристаллов железа и никеля. [21] |
До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристаллографической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. [22]
![]() |
Кристаллические решетки.| Кривые намагничивания в разных направлениях монокристаллов железа и никеля. [23] |
До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристалле графической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. [24]
![]() |
Кристаллические решетки ферромагнетиков.| Кривые намагничивания в разных направлениях монокристаллов железа и никеля. [25] |
До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристаллографической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. [26]
МКК является наличие механических напряжений при выделении новых фаз на границах зерен. Но эта гипотеза не может объяснить влияние многих факторов на МКК и, по-видимому, ее можно принять, только для специфических условий. [27]
Такое увеличение S обусловлено наличием сильных механических напряжений на сколотых поверхностях и отщеплением зоны легких дырок. Для свежестравленного скола германия Н отличается от объемной сильнее, чем для состаренного, где микронапряжения уже в значительной мере рассосались. [28]
При этом разрушение может распространяться как по границам кристаллов, так и по телу кристаллов в виде тонких волосных трещин. Особенно уязвимыми местами, при наличии механических напряжений, оказываются язвы и питтинги, являющиеся концентраторами напряжений. [29]
![]() |
Электродные потенциалы металлов в растворах хлорида натрия. [30] |