Наличие - насыщение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Россия - неунывающая страна, любой прогноз для нее в итоге оказывается оптимистичным. Законы Мерфи (еще...)

Наличие - насыщение

Cтраница 3


Поток Ф создается током ior. Так как при наличии насыщения пропорциональность между Ф и ior нарушается, то при синусоидальном потоке Ф ток ior уже не будет синусоидальным.  [31]

Исследование влияния мощности сверхвысокочастотного ( СВЧ) поля на сигнал ЭПР позволяет разграничить гомогенное и негомогенное уширение линий, соответствующее в первом случае взаимодействию спинов между собой, а во втором - воздействию посторонних факторов. Критерием является при наличии насыщения интенсивности с повышением мощности СВЧ поля ширина линии: при ее увеличении с ростом мощности уширение гомогенно, при ее неизменности уширение негомогенно.  [32]

33 К определению сил взаимодействия между проводниками с током и ферромагнитной массой. [33]

Следует при этом помнить, что приведенные рассуждения полностью справедливы при бесконечно большой проницаемости магнитных силовых линий в ферромагнитной массе по отношению к их проницаемости в воздухе. Фактически с учетом магнитного сопротивления массы и наличия насыщения силы будут несколько меньшими.  [34]

У капель радиусом 0 2 - 0 3 см скорость падения оказывается слабо зависящей от радиуса. Экспериментальные данные в этой области не очень точны, но наличие насыщения на кривой скорость - размер отмечается всеми авторами.  [35]

Величина смещения кривой уменьшалась с последующими плавками, что указывает на наличие насыщения. Под действием высокочастотных кояеба-ний вязкость уменьшалась, и кривая возвращалась к исходному положению.  [36]

СП, имеющий нелинейную статическую характеристику, представлен в виде последовательного соединения соответствующего линейного элемента с определенной передаточной функцией и безынерционного элемента с соответствующей нелинейной статической характеристикой. Нелинейный элемент 1 характеризует насыщение или зону нечувствительности измерительного звена, 2 - насыщение предварительного усилителя, 3 отражает наличие насыщения усилителя мощности, 4 учитывает наличие ограничения момента, развиваемого ИД, 5 характеризует наличие сухого трения на валу объекта. Схема рис. 1 - 13 может быть использована при моделировании СП с учетом основных нелинейностей.  [37]

Ар - толщина слоя потока воздуха с наветренной стороны препятствия ( гПа), V - средняя скорость ветра в слое Ар, перпендикулярная препятствию ( км / ч), Ал: - расстояние вниз по ветру ( км), на котором выпадают осадки, g 9 81 м / с2, q и q2 - средние массовые доли влаги ( % о) с наветренной и подветренной стороны. Количество осадков, вычисленное по этой модели, превышает фактическое почти на одну треть, что связано с принятым предположением о наличии насыщения.  [38]

Следствием насыщения магнитопровода является искажение мгновенного вторичного тока. На рис. 2.16, а б приведены кривые мгновенных токов и магнитной индукции, характеризующие соотношения передачи первичного тока с полностью смещенной кривой тока ( за счет апериодической составляющей) для случаев отсутствия и наличия насыщения магнитопровода соответственно.  [39]

40 Графики, иллюстрирующие трансформацию апериодической составляющей пергичного тока ( а, и графики апериодической составляющей тока намагничивания ( 6. [40]

Следствием насыщения магнитопровода является искажение мгновенного вторичного тока. На рис. 2.16, а, б приведены кривые мгновенных токов и магнитной индукции, характеризующие соотношения передачи первичного тока с полностью смещенной кривой тока ( за счет апериодической составляющей) для случаев отсутствия и наличия насыщения магнитопровода соответственно.  [41]

С увеличением напряжения яркость свечения растет, и при этом быстрее, чем возрастает напряжение. Такая зависимость между яркостью свечения и энергией возбуждающих электронов имеет место, например, вследствие увеличения толщины возбужденного слоя люминофора, когда увеличивается глубина проникновения первичных электронов. Наличие насыщения объясняется тем, что при больших напряжениях глубина проникновения электронов в люминофоре увеличивается настолько, что вылет вторичных электронов из экрана становится затруднительным. Экран заряжается отрицательно, и энергия электронов, попадающих на экран, уменьшается.  [42]

Однако в междуполюсном пространстве Кх уменьшается, и Вадх - / ( л:) принимает форму кривой / на рис. 5 - 5, в. При отсутствии насыщения поперечная реакция якоря вызывает лишь искажение кривой поля в зазоре, однако поток одного полюса остается неизменным. Но при наличии насыщения уменьшение потока на том краю полюса, где поля вычитаются, будет больше, чем увеличение на том краю полюса, где поля складываются. Это объясняется тем, что насыщение сильнее там, где сильнее результирующее поле.  [43]

44 Зависимости времени / н и точности б самонастройки от частоты гармонического входного сигнала.| Зависимости времени / к и точности б самонастройки от коэффициента Я. [44]

При этом амплитуда колебаний настраиваемого параметра увеличивается с ростом К. Отклонение указанных зависимостей от линейных объясняется наличием насыщения в канале самонастройки.  [45]



Страницы:      1    2    3    4